[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

形成元件，所述元件具有位于半导体衬底的主表面上的导电部分；

形成第一凹部，所述第一凹部从所述主表面在所述半导体衬底内部延伸；

在所述主表面之上以及在所述第一凹部的侧壁和底壁之上形成绝缘膜，以便覆盖所述元件并且在所述第一凹部内形成带盖的中空；

在所述绝缘膜内形成第一孔部分，以便从所述绝缘膜的上表面到达所述第一凹部内的所述中空，并且到达所述第一凹部的底壁内的半导体衬底，而保留所述第一凹部的侧壁之上的所述绝缘膜；和

形成第二孔部分，所述第二孔部分从所述绝缘膜的上表面到达所述导电部分，

其中以同一蚀刻处理过程形成所述第一孔部分和所述第二孔部分。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

在所述第一孔部分内形成第一导电层以便电耦接到所述半导体衬底；和

在所述第二孔部分内形成第二导电层以便电耦接到所述导电部分，

其中以同一成膜处理过程形成所述第一导电层和所述第二导电层。

3.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，

其中将所述第一导电层形成为漏电极，所述漏电极电耦接到所述元件的漏区。

4.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，

其中所述半导体衬底具有彼此分开地定位的第一元件形成区域和第二元件形成区域，以及定位在所述第一元件形成区域和所述第二元件形成区域之间的第一活性势垒区域，

该方法还包括以下步骤：

在所述半导体衬底内形成第一导电类型的第一区域，以便从所述第一元件形成区域通过所述活性势垒区域至少延伸到所述第二元件形成区域；

在所述活性势垒区域的主表面上形成第二导电类型的第二区域，以便与包括所述第一区域的第一导电类型区域构成p-n结；和

形成定位在所述主表面之上并且将所述第一导电层电耦接到所述第二区域的耦接导电层，并且

其中所述第一导电层被形成为到达所述活性势垒区域内的所述第一区域。

5.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

在所述半导体衬底内形成第一导电类型的衬底区域；和

形成位于比所述衬底区域更靠近所述主表面的第二导电类型的隐埋区域，

其中形成所述第一凹部以便穿过所述隐埋区域，从而到达所述衬底区域，并且

其中所述隐埋区域被形成在所述半导体衬底在平面图中的整个表面上。

6.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，还包括形成从所述主表面在所述半导体衬底内部延伸的第二凹部的步骤，

其中在所述第二凹部的侧壁和底壁之上形成所述绝缘膜，以便在所述第二凹部内形成带盖的中空，并且

其中以相同的蚀刻处理形成所述第一凹部和所述第二凹部。

7.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有主表面，并且具有形成为从所述主表面延伸到内部的第一凹部；

元件，所述元件具有位于所述半导体衬底的所述主表面上的导电区域；和

绝缘膜，所述绝缘膜被形成在所述主表面之上以便覆盖所述元件，还被形成在所述第一凹部内的所述第一凹部的侧壁之上，并且从而被形成为暴露所述第一凹部的底壁内的所述半导体衬底，

其中形成有第一孔部分，所述第一孔部分从所述绝缘膜的上表面通过所述第一凹部的内部到达所述第一凹部的所述底壁，并且形成有第二孔部分，所述第二孔部分从所述绝缘膜的所述上表面到达所述导电区域，

所述半导体器件还包括：

在所述第一孔部分内形成的第一导电层；和

在所述第二孔部分内形成的第二导电层，并且

其中所述第一导电层和第二导电层包括相同的材料。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中所述第一导电层形成为漏电极，所述漏电极电耦接到所述元件的漏区。