[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明公开了半导体器件及其制造方法。形成从半导体衬底的主表面在半导体衬底的内部延伸的第一凹部。在主表面之上、第一凹部的侧壁和底壁之上形成绝缘膜，以便覆盖元件并且在第一凹部内形成带盖的中空。在绝缘膜内形成第一孔部分，以便从绝缘膜的上表面到达第一凹部内的中空，并且到达第一凹部的底壁上的半导体衬底，而保留第一凹部的侧壁之上的绝缘膜。形成从绝缘膜的上表面到达导电部分的第二孔部分。以相同的蚀刻处理形成第一孔部分和第二孔部分。

相关申请的交叉引用

通过引用将提交于2013年8月12日的日本专利申请No.2013-167690的公开完整结合在此，包括其说明书、附图和摘要。

背景技术

本发明涉及半导体器件及其制造方法，并且具体地涉及具有凹部的半导体器件及其制造方法。

相关技术的描述

在半导体衬底的彼此相对的一对主表面的一个(上侧)主表面侧上，可以形成用于取得上述主表面对的另一个(下侧)主表面侧的电位的深槽(凹部)。这种用于提取半导体衬底的电位的深凹部可被称为衬底电极或者衬底接触件。例如，在日本专利待审公开No.2008-130829(专利文献1)、国际专利申请No.2008-511981的国家公布(专利文献2)、日本专利待审公开No.05-29603(专利文献3)、日本专利待审公开No.62-213121(专利文献4)和日本专利待审公开No.2003-218356(专利文献5)中公开了上述衬底电极。

此外，例如，在日本专利待审公开No.11-45890(专利文献6)中，公开了出于将形成在半导体衬底上的元件与半导体衬底上的其它区域电分离的目的，在半导体衬底的主表面对的一个(上侧)主表面内以深凹部形成器件隔离凹部的技术。

为了形成上述专利文件中所示的深凹部，在很多情况下需要长时间热处理，并且制造成本会增加。

另外，除了在形成半导体器件时形成上述深凹部的处理之外，通常可能需要，例如，在半导体衬底的上述一个主表面侧上形成用于从半导体器件拉出电极的凹部的处理，所述凹部比上述的深凹部浅。在所有上述专利文件中，形成深凹部的处理和形成浅凹部的处理被作为分开的处理进行处理。在这种情况下，因为处理变得复杂，并且形成所述凹部所需的掩模的数目增加，制造成本会上升。

从本说明书的描述和附图将明了其它目的和新的特征。

发明内容

一种用于制造一个实施例的半导体器件的方法包括下面的处理。首先，形成元件，该元件具有位于半导体衬底的主表面处的导电部分。形成从上述主表面在所述半导体衬底内部延伸的第一凹部。在所述主表面之上、所述第一凹部的侧壁和底壁之上形成绝缘膜，以便覆盖上述元件，并在所述第一凹部内形成带盖的中空(capped hollow)。在所述绝缘膜内形成第一孔部分，以便从上述绝缘膜的上表面到达所述第一凹部内的所述中空，并且到达所述第一凹部的底壁上的半导体衬底，而保留所述第一凹部的侧壁之上的绝缘膜。形成从上述绝缘膜的上表面到达所述导电部分的第二孔部分。以相同的蚀刻处理形成上述第一孔部分和第二孔部分。

另一个实施例的半导体器件包括下面的配置。上述半导体器件包括:具有第一凹部的半导体衬底；具有导电区域的元件；和绝缘膜，该绝缘膜被形成在主表面之上以便覆盖所述元件，并且被形成为暴露所述第一凹部的第一底壁上的半导体衬底。形成从所述绝缘膜的上表面通过所述第一凹部的内部到达所述第一凹部的底壁的第一孔部分，并形成从所述绝缘膜的上表面到达所述导电区域的第二孔部分。所述半导体器件包括:形成在所述第一孔部分内的第一导电层；和形成在所述第二孔部分内的第二导电层。所述第一导电层和第二导电层包括相同的材料。

根据关于一个实施例和另一个实施例的半导体器件及其制造方法，可以通过减少的处理次数、处理时间和制造成本，提供具有第一凹部的半导体器件。

附图说明

图1是示出了第一实施例中的芯片状态下的半导体器件的配置的示意平面图；