[发明专利]一种超薄显示装置的制造方法在审
| 申请号： | 201410392689.7 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN104124207A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 角顺平;赖颖辉;詹钧翔;廖启宏;范铎正 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G02F1/133 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种超薄显示装置的制造方法，包括：形成一承载基板；形成一玻璃基板；提供一剥离层，用以临时粘接承载基板与玻璃基板；在低温多晶硅制程中，将粘接后的承载基板与玻璃基板加热至一预设温度；以及剥离承载基板从而形成超薄显示装置。相比于现有技术，本发明将诸如氮氧化硅材质的剥离层的硅元素、氧元素、氮元素之间的比例设为预定范围，以降低承载基板与玻璃基板之间的粘接能量，从而防止玻璃基板与承载基板形成共价键而无法分离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄显示装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：形成一承载基板；形成一玻璃基板；提供一剥离层，用以临时粘接所述承载基板与所述玻璃基板，所述剥离层的材质为氮氧化硅，且硅元素、氧元素、氮元素的比例为1：x：y，其中，x的取值介于0.7至1.2之间，y的取值介于0.4至0.7之间；在低温多晶硅制程中，将粘接后的所述承载基板与所述玻璃基板加热至一预设温度；以及剥离所述承载基板，以形成所述超薄显示装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司，未经友达光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410392689.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于线切割斜顶座的装夹治具
- 下一篇：走丝线切割机床穿丝辅助装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
