[发明专利]一种超薄显示装置的制造方法在审
| 申请号: | 201410392689.7 | 申请日: | 2014-08-11 |
| 公开(公告)号: | CN104124207A | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
| 发明(设计)人: | 角顺平;赖颖辉;詹钧翔;廖启宏;范铎正 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;G02F1/133 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 超薄 显示装置 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种超薄显示装置,尤其涉及一种用于该超薄显示装置的制造方法。
背景技术
近年来,超薄液晶显示器的制作方式是,在液晶显示盒(display cell)完成后,再进行玻璃的薄化动作,例如,使用0.5mm或0.4mm玻璃进行氢氟酸(HF)蚀刻至0.2mm。然而,当玻璃薄化至0.1mm以下时,容易造成破裂或表面析出物等问题。为了改善薄化制程,现有技术又提出一种0.1mm以下使用双层玻璃(Glass on Glass,GOG)的解决方案制作超薄显示器,其将厚度为0.1mm的超薄玻璃(Ultra Thin Glass,UTG)与厚度为0.5mm或0.7mm的基载玻璃(Carrier Glass)贴合在一起,然后分别进入阵列基板(Array substrate)制程和彩色滤光片基板(color filter substrate)制程,在对组完成后将基载基板剥离,即可得到超薄显示器以对应目前量产的超薄液晶显示器。
在上述过程中,超薄玻璃与基载玻璃之间需要设置临时粘接层(temporary bonding layer),使得玻璃经过高温加热后可以分离。一般来说,现有的临时粘接层可分为两类材质,其一是有机胶材(glue),另一种是无机膜(inorganic film)。以有机胶材为例,其可以是丙烯酸树脂(acrylic resin)、聚烯烃树脂(polyolefin resin)、聚氨基甲酸乙酯树脂(polyurethane resin)和硅树脂(silicone resin)。由于低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon,LTPS)制程的热处理温度可高达580℃,而有机胶材的热分解温度仅为450℃,因此采用有机胶材作为临时粘接层会遭遇热耐久性的问题。另外,若无机膜作为临时粘接层,利用凡得瓦力(van der Waals'force)及氢键让超薄玻璃与基载玻璃暂时贴合,但是低温多晶硅制程的热处理温度很高,在超薄玻璃与基载玻璃之间会形成共价键(covalent bond),这将无法通过物理方法来剥离基载玻璃。
有鉴于此,如何设计一种超薄显示装置的制造方法,以消除现有的上述缺陷,是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
发明内容
针对现有技术中的超薄显示装置的制造方法所存在的上述缺陷,本发明提供了一种新颖的超薄显示装置的制造方法,以解决有机胶材作为临时粘接层所遭遇的热耐久性的问题,以及无机膜作为临时粘接层所遭遇的因共价键而无法剥离的问题。
依据本发明的一个方面,提供一种超薄显示装置的制造方法,包括以下步骤:
形成一承载基板(carrier substrate);
形成一玻璃基板(glass substrate);
提供一剥离层(de-bonding layer),用以临时粘接所述承载基板与所述玻璃基板,所述剥离层的材质为氮氧化硅,且硅元素、氧元素、氮元素的比例为1:x:y,其中,x的取值介于0.7至1.2之间,y的取值介于0.4至0.7之间;
在低温多晶硅(Low Temperature Polycrystalline Silicon,LTPS)制程中,将粘接后的所述承载基板与所述玻璃基板加热至一预设温度;以及
剥离所述承载基板,以形成所述超薄显示装置。
在其中的一实施例,所述氮氧化硅中的硅元素、氧化素、氮元素的比例为1:0.8:0.6。
在其中的一实施例,所述剥离层是利用SiH4/N2O混合气体通过化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)制作而成。
在其中的一实施例,所述剥离层的厚度小于1000埃较佳地,所述剥离层的厚度等于200埃
在其中的一实施例,所述低温多晶硅制程加热时的所述预设温度为580摄氏度。
在其中的一实施例,所述剥离层包括一剥离区(de-bonding area)以及至少一触发区(trigger area),其中所述触发区用以通过激光预先移除一部分承载基板,所述剥离层从已移除的承载基板部分进行剥离。
在其中的一实施例,所述触发区的形状为三角形、长方形或正方形。
在其中的一实施例,所述触发区设置于所述剥离层的一侧、相对立的两侧或者至少一个角落。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





