[发明专利]一种超薄显示装置的制造方法在审
| 申请号： | 201410392689.7 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN104124207A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 角顺平;赖颖辉;詹钧翔;廖启宏;范铎正 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G02F1/133 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种超薄显示装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：
形成一承载基板；
形成一玻璃基板；
提供一剥离层，用以临时粘接所述承载基板与所述玻璃基板，所述剥离层的材质为氮氧化硅，且硅元素、氧元素、氮元素的比例为1：x：y，其中，x的取值介于0.7至1.2之间，y的取值介于0.4至0.7之间；
在低温多晶硅制程中，将粘接后的所述承载基板与所述玻璃基板加热至一预设温度；以及
剥离所述承载基板，以形成所述超薄显示装置。
2.根据权利要求1所述的超薄显示装置的制造方法，其特征在于，所述氮氧化硅中的硅元素、氧化素、氮元素的比例为1:0.8:0.6。
3.根据权利要求1或2所述的超薄显示装置的制造方法，其特征在于，所述剥离层是利用SiH4/N2O混合气体通过化学气相沉积法制作而成。
4.根据权利要求1所述的超薄显示装置的制造方法，其特征在于，所述剥离层的厚度小于1000埃。
5.根据权利要求4所述的超薄显示装置的制造方法，其特征在于，所述剥离层的厚度等于200埃。
6.根据权利要求1所述的超薄显示装置的制造方法，其特征在于，所述低温多晶硅制程加热时的所述预设温度为580摄氏度。
7.根据权利要求1所述的超薄显示装置的制造方法，其特征在于，所述剥离层包括一剥离区以及至少一触发区，其中所述触发区用以通过激光预先移除一部分承载基板，所述剥离层从已移除的承载基板部分进行剥离。
8.根据权利要求7所述的超薄显示装置的制造方法，其特征在于，所述触发区的形状为三角形、长方形或正方形。
9.根据权利要求7所述的超薄显示装置的制造方法，其特征在于，所述触发区设置于所述剥离层的一侧、相对立的两侧或者至少一个角落。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
