[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410392234.5 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105336782B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李迪 | 申请（专利权）人： | 唐棕 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/48;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 421002 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上方的栅叠层，所述栅叠层包括栅极导体以及夹在栅极导体和半导体衬底之间的栅极电介质；位于栅叠层的侧面上的栅极侧墙；位于半导体衬底中的源区和漏区；以及分别与源区、漏区和栅极导体电连接的第一导电通道、第二导电通道和第三导电通道，其中所述第一导电通道和第二导电通道中的每个导电通道包括与栅极侧墙相邻的第一部分和位于栅极侧墙上方的第二部分，所述第一部分的顶部与栅极侧墙的顶部齐平，并且与所述第二部分的底部接触。该半导体器件利用栅极侧墙将栅极导体与第一和第二导电通道的第一部分隔开，从而减少了栅极与源极和漏极之间短接的发生。此外，第一和第二导电通道的第一部分和第二部分可以采用不同的导电材料，从而可以减小互连电阻和/或改善导热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上方的栅叠层，所述栅叠层包括栅极导体以及夹在栅极导体和半导体衬底之间的栅极电介质；位于栅叠层的侧面上的栅极侧墙；位于半导体衬底中的源区和漏区；以及分别与源区、漏区和栅极导体电连接的第一导电通道、第二导电通道和第三导电通道，其中，所述第一导电通道和第二导电通道中的每个导电通道包括与栅极侧墙相邻的第一部分和位于栅极侧墙上方的第二部分，所述第一部分的顶部与栅极侧墙的顶部齐平，并且与所述第二部分的底部接触。
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