[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410392234.5 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105336782B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李迪 | 申请（专利权）人： | 唐棕 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/48;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 421002 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括以下顺序执行的步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底中包括源区和漏区；
在所述半导体衬底上方形成栅叠层，所述栅叠层包括栅极导体以及夹在栅极导体和半导体衬底之间的栅极电介质；
在所述栅叠层的侧面上形成栅极侧墙；
在所述栅极导体上方形成阻挡绝缘层；
在栅极侧墙两侧分别形成与源区和漏区电连接的第一导电通道和第二导电通道的各自的第一部分；
采用化学机械平面化去除所述阻挡绝缘层以及去除栅极侧墙的一部分，使得所述栅极导体暴露且与所述栅极侧墙齐平；
在栅极侧墙上方分别形成与源区和漏区电连接的第一导电通道和第二导电通道的各自的第二部分，所述第一部分的顶部与栅极侧墙的顶部齐平，并且与所述第二部分的底部接触，以及在栅极导体上方形成与栅极导体电连接的第三导电通道。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述第一和第二导电通道中的每个导电通道的第一部分与第二部分是对准的。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述阻挡绝缘层的顶部与所述栅极侧墙的顶部齐平。
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