[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括基底、第一介电层、第一导体层以及隔离结构。基底具有沟渠；第一介电层配置于相邻两个沟渠之间的基底上；第一导体层配置于第一介电层上；隔离结构位于沟渠中，包括平坦区与凹陷区，平坦区的上表面高于第一介电层的上表面。本发明的半导体元件及其制造方法能够提高栅极耦合比、减少相邻浮置栅极间的干扰，并且使半导体元件具有良好的可靠度。

主权项

一种半导体元件，其特征在于其包括：基底，所述基底具有多个沟渠；多个第一介电层，分别配置于相邻两个所述沟渠之间的所述基底上；多个第一导体层，配置于所述第一介电层上；以及多个隔离结构，位于所述沟渠中，每一隔离结构包括平坦区与凹陷区，所述平坦区的上表面高于所述第一介电层的上表面。