[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于其包括：

基底，所述基底具有多个沟渠；

多个第一介电层，分别配置于相邻两个所述沟渠之间的所述基底上；

多个第一导体层，配置于所述第一介电层上；以及

多个隔离结构，位于所述沟渠中，每一隔离结构包括平坦区与凹陷区，所述平坦区的上表面高于所述第一介电层的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述凹陷区为U形、V形、梯形、乳头形、W形或阶梯形。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述所述凹陷区的底面低于所述平坦区的上表面，并且高于所述第一介电层的上表面。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其还包括：

第二导体层，配置于所述第一导体层与所述隔离结构上；以及

第二介电层，配置于所述第一导体层与所述第二导体层之间以及所述隔离结构与所述第二导体层之间。

5.一种半导体元件的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

在基底上依序形成第一介电层与第一导体层；

图案化所述第一导体层与所述第一介电层，并且在所述基底中形成多个沟渠；

在所述沟渠中形成多个隔离材料层；

移除部分所述隔离材料层，以形成多个隔离层，裸露出所述第一导体层的侧壁；以及

移除部分所述隔离层，以形成多个隔离结构，每一隔离结构包括平坦区与凹陷区。

6.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中移除部分所述隔离层的步骤包括：

在每一第一导体层的侧壁上形成第一衬间隙壁；

以所述第一衬间隙壁为罩幕，蚀刻所述隔离层；以及

移除所述第一衬间隙壁。

7.根据权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中蚀刻所述隔离层的方法包括干式蚀刻法。

8.根据权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中移除所述第一衬间隙壁的方法包括湿式蚀刻法。

9.根据权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其还包括：

在移除所述第一衬间隙壁之前，在所述第一衬间隙壁的侧壁形成第二衬间隙壁；

以所述第一衬间隙壁以及所述第二衬间隙壁为罩幕，蚀刻所述隔离层；以及

移除所述第一衬间隙壁与所述第二衬间隙壁。

10.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中移除部分所述隔离材料层的方法包括干式蚀刻法。