[发明专利]等离子CVD装置以及成膜方法

摘要

本发明的目的在于，提供将膜中不存在分界面而且膜质特性不单一的薄膜形成在基板上的技术。由气体供给部(6A)从喷出口(615)向处理空间(V)的搬送方向上的上游侧供给第一材料气体，并且由气体供给部(6B)从喷出口(625)向处理空间(V)的搬送方向上的下游侧供给第二材料气体。由此，在处理空间(V)的内部，在从上游侧到下游侧的整个区域，形成从充满了第一材料气体的空间向充满了第二材料气体的空间连续变化的环境。一边在与该处理空间V相向的位置上搬送基板(9)，一边对基板(9)进行等离子CVD处理。因此，形成在基板9的主面上的CVD膜(110)的成分在主面的指向外侧的法线方向上从第一材料成分向第二材料成分连续变化。

主权项

一种等离子CVD装置，其特征在于，具有：腔室，保持搬送部，其在所述腔室内保持成为处理对象的基板，并沿搬送路径相对搬送该基板，多个感应耦合式天线，其与所述搬送路径相向地排列于在所述腔室内规定的处理空间内，多个感应耦合式天线各自的卷绕数小于一周，第一气体供给部，其向所述处理空间中的所述搬送路径的上游部分供给第一材料气体，以及第二气体供给部，其向所述处理空间中的所述搬送路径的下游部分供给与所述第一材料气体的成分不同的成分的第二材料气体；在从所述第一气体供给部供给所述第一材料气体，从所述第二气体供给部供给所述第二材料气体，并且向所述多个感应耦合式天线供给高频电力来生成等离子的状态下，所述保持搬送部沿所述搬送路径搬送所述基板，由此，在所述基板的主面上，形成成分在所述主面的指向外侧的法线方向上从与所述第一材料气体相对应的第一材料成分向与所述第二材料气体相对应的第二材料成分连续变化的CVD膜。