[发明专利]等离子CVD装置以及成膜方法

说明书

技术领域

本发明涉及等离子CVD(等离子化学气相沉积)装置、等离子CVD处理的成膜方法以及通过进行等离子CVD处理来得到的电子器件用结构体。

背景技术

在硅类太阳能电池的制造工艺等各种电子器件的制造工艺中，等离子工艺发挥很大的作用。例如在专利文献1中记载有通过进行等离子CVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition：等离子增强体化学气相沉积)来在基板上形成薄膜的装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-214729号公报

更具体地说，在专利文献1中记载了如下装置，在该装置中，在基板的搬送方向上配设有多个等离子源，利用上述多个等离子源对以对辊方式搬送的基板依次进行等离子CVD处理。结果，在基板上形成与上述多个等离子源相对应的多层薄膜。

但是，在基板上形成了多层薄膜的情况下，由于在各层之间形成分界面，产生因分界面的存在而引起的各种不良情况。例如，在太阳能电池中，希望不反射从外部照射来的光而将更多的光引入至器件内，但若在基板上的薄膜的各层之间存在分界面，则在该分界面上反射光，从而使引入器件内的光量减少。

作为不在薄膜上产生分界面的结构，可考虑在基板上形成单层薄膜，但此时产生因薄膜中的膜质单一(例如，折射率均匀的情况)而引起的各种不良情况。例如，在太阳能电池中，已知通过使基板上的薄膜中的折射率存在高低差来使膜中的各内部反射光产生相位差，由此可整体上减少内部反射来增加引入器件内的光量，但是在单层薄膜中无法得到该效果。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，提供将膜中不存在分界面而且膜质特性不单一的薄膜形成在基板上的技术。

技术方案1所述的发明是一种电子器件用结构体，其特征在于，具有：基板，CVD膜，通过等离子CVD法形成在所述基板的主面上；在远离所述主面的法线方向上，所述CVD膜的成分从第一材料成分向第二材料成分连续变化。

技术方案2所述的发明是如技术方案1所述的电子器件用结构体，其特征在于，所述第一材料成分和所述第二材料成分各自含有的多个成分要素的种类彼此相同，另一方面，该多个成分要素的含有比互不相同。

技术方案3所述的发明是如技术方案1所述的电子器件用结构体，其特征在于，所述第一材料成分所包括的成分要素和所述第二材料成分所包括的成分要素互不相同。

技术方案4所述的发明是如技术方案1至3中任一项所述的电子器件用结构体，其特征在于，所述基板为太阳能电池用的半导体基板，所述CVD膜为所述太阳能电池的保护膜。

技术方案5所述的发明是如技术方案4所述的电子器件用结构体，其特征在于，所述CVD膜包括硅氮化膜。

技术方案6所述的发明是一种等离子CVD装置，其特征在于，具有：腔室，保持搬送部，在所述腔室内保持成为处理对象的基板，并沿搬送路径搬送该基板，多个感应耦合式天线，排列在与所述搬送路径相向地规定在所述腔室内的处理空间内，各自的卷绕数小于一周，第一气体供给部，向所述处理空间中的所述搬送路径的上游部分供给第一材料气体，第二气体供给部，向所述处理空间中的所述搬送路径的下游部分，供给成分与所述第一材料气体的成分不同的第二材料气体；在从所述第一气体供给部供给所述第一材料气体、且从所述第二气体供给部供给所述第二材料气体，并且向所述多个感应耦合式天线供给高频电力来产生等离子的状态下，通过所述保持搬送部沿所述搬送路径搬送所述基板；由此，在所述基板的主面上形成如下CVD膜，即，在远离所述主面的法线方向上，成分从与所述第一材料气体相对应的第一材料成分、向与所述第二材料气体相对应的第二材料成分连续变化。

技术方案7所述的发明是如技术方案6所述的等离子CVD装置，其特征在于，具有：第一分隔构件，为与所述搬送路径垂直的板状体，沿所述搬送路径配置在所述多个感应耦合式天线的上游侧，第二分隔构件，为与所述搬送路径垂直的板状体，沿所述搬送路径配置在所述多个感应耦合式天线的下游侧；通过所述第一分隔构件以及第二分隔构件规定所述处理空间的搬送方向上的宽度。

技术方案8所述的发明是如技术方案6所述的等离子CVD装置，其特征在于，所述第一材料气体和所述第二材料气体的各自含有的多个成分要素的种类彼此相同，另一方面，该多个成分要素的含有比互不相同。

技术方案9所述的发明是如技术方案6所述的等离子CVD装置，其特征在于，所述第一材料气体所包括的成分要素和所述第二材料气体所包括的成分要素互不相同。