[发明专利]等离子CVD装置以及成膜方法

权利要求书

1.一种电子器件用结构体，其特征在于，

具有：

基板，

CVD膜，其通过等离子CVD法来形成在所述基板的主面上；

在所述主面的指向外侧的法线方向上，所述CVD膜的成分从第一材料成分向第二材料成分连续变化。

2.根据权利要求1所述的电子器件用结构体，其特征在于，所述第一材料成分和所述第二材料成分各自含有的多个成分要素的种类彼此相同，但这些多个成分要素的含有比例互不相同。

3.根据权利要求1所述的电子器件用结构体，其特征在于，所述第一材料成分所包含的成分要素和所述第二材料成分所包含的成分要素互不相同。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子器件用结构体，其特征在于，

所述基板是用于太阳能电池的半导体基板；

所述CVD膜是所述太阳能电池的保护膜。

5.根据权利要求4所述的电子器件用结构体，其特征在于，所述CVD膜包括硅氮化膜。

6.一种等离子CVD装置，其特征在于，

具有：

腔室，

保持搬送部，其在所述腔室内保持成为处理对象的基板，并沿搬送路径相对搬送该基板，

多个感应耦合式天线，其与所述搬送路径相向地排列于在所述腔室内规定的处理空间内，这些多个感应耦合式天线各自的卷绕数小于一周，

第一气体供给部，其向所述处理空间中的所述搬送路径的上游部分供给第一材料气体，

第二气体供给部，其向所述处理空间中的所述搬送路径的下游部分供给与所述第一材料气体的成分不同的成分的第二材料气体；

在从所述第一气体供给部供给所述第一材料气体，从所述第二气体供给部供给所述第二材料气体，并且向所述多个感应耦合式天线供给高频电力来生成等离子的状态下，所述保持搬送部沿所述搬送路径搬送所述基板，

由此，在所述基板的主面上，形成成分在所述主面的指向外侧的法线方向上从与所述第一材料气体相对应的第一材料成分向与所述第二材料气体相对应的第二材料成分连续变化的CVD膜。

7.根据权利要求6所述的等离子CVD装置，其特征在于，

具有：

第一分隔构件，其是与所述搬送路径垂直的板状体，在所述搬送路径上配置于所述多个感应耦合式天线的上游侧，

第二分隔构件，其是与所述搬送路径垂直的板状体，在所述搬送路径上配置于所述多个感应耦合式天线的下游侧；

由所述第一分隔构件及第二分隔构件来规定所述处理空间的搬送方向上的宽度。

8.根据权利要求6所述的等离子CVD装置，其特征在于，所述第一材料气体和所述第二材料气体各自含有的多个成分要素的种类彼此相同，但这些多个成分要素的含有比例互不相同。

9.根据权利要求6所述的等离子CVD装置，其特征在于，所述第一材料气体所包含的成分要素和所述第二材料气体所包含的成分要素互不相同。

10.根据权利要求6至权利要求9中任一项所述的等离子CVD装置，其特征在于，

所述基板是用于太阳能电池的半导体基板，

所述CVD膜是所述太阳能电池的保护膜。

11.根据权利要求10所述的等离子CVD装置，其特征在于，

所述第一材料气体和所述第二材料气体中的至少一个材料气体中含有硅烷及氨，

所述CVD膜包括硅氮化膜。

12.一种成膜方法，通过在配置有各自的卷绕数小于一周的多个感应耦合式天线的处理空间内进行等离子处理，在沿搬送路径搬送的基板的主面上形成CVD膜，该成膜方法的特征在于，

包括：

第一气体供给工序，向所述处理空间中的所述搬送路径的上游部分供给第一材料气体，

第二气体供给工序，向所述处理空间中的所述搬送路径的下游部分供给与所述第一材料气体的成分不同的成分的第二材料气体，

等离子处理工序，向所述多个感应耦合式天线供给高频电力来生成等离子，通过所述第一材料气体和第二材料气体的等离子分解，来在所述基板上进行化学气相沉积，

搬送工序，沿所述搬送路径搬送所述基板；

在所述基板的主面上，形成成分在所述主面的指向外侧的法线方向上从与所述第一材料气体相对应的第一材料成分向与所述第二材料气体相对应的第二材料成分连续变化的CVD膜。