[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201410363399.X | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN105336594A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区域和第二区域，第一区域与第二区域导电类型不同；在第一区域形成至少一个第一伪栅极结构，第一伪栅极结构包括第一伪栅极，在第二区域形成至少一个第二伪栅极结构，第二伪栅极结构包括第二伪栅极；在半导体衬底、第一伪栅极结构和第二伪栅极结构上形成介质层，介质层与第一伪栅极结构顶部、第二伪栅极结构顶部相平；形成介质层后，去除第一伪栅极，在去除第一伪栅极处形成第一金属栅极；在第一金属栅极顶部形成保护层；以保护层为掩膜，去除第二伪栅极，在去除第二伪栅极处形成第二金属栅极。采用本发明的方法形成的半导体结构性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域与第二区域导电类型不同；在所述第一区域形成至少一个第一伪栅极结构，所述第一伪栅极结构包括第一伪栅极，在所述第二区域形成至少一个第二伪栅极结构，所述第二伪栅极结构包括第二伪栅极；在所述半导体衬底、第一伪栅极结构和第二伪栅极结构上形成介质层，所述介质层与所述第一伪栅极结构顶部和第二伪栅极结构顶部相平；形成所述介质层后，去除所述第一伪栅极，在去除所述第一伪栅极处形成第一金属栅极；在所述第一金属栅极顶部形成保护层；以所述保护层为掩膜，去除所述第二伪栅极，在去除第二伪栅极处形成第二金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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