[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域与第二区域导电类型不同；

在所述第一区域形成至少一个第一伪栅极结构，所述第一伪栅极结构包括第一伪栅极，在所述第二区域形成至少一个第二伪栅极结构，所述第二伪栅极结构包括第二伪栅极；

在所述半导体衬底、第一伪栅极结构和第二伪栅极结构上形成介质层，所述介质层与所述第一伪栅极结构顶部和第二伪栅极结构顶部相平；

形成所述介质层后，去除所述第一伪栅极，在去除所述第一伪栅极处形成第一金属栅极；

在所述第一金属栅极顶部形成保护层；

以所述保护层为掩膜，去除所述第二伪栅极，在去除第二伪栅极处形成第二金属栅极。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化钛。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为大于等于10埃且小于等于50埃。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为大于等于10埃且小于等于30埃。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一金属栅极顶部形成保护层的方法包括：

在所述第一金属栅极、第二伪栅极和介质层顶部形成保护层材料层；

在所述保护层材料层的表面形成图形化的掩膜层，以所述图形化的掩膜层为掩膜对所述保护层材料层进行刻蚀，在所述第一金属栅极顶部形成保护层；

形成所述保护层后，去除所述图形化的掩膜层。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，以保护层为掩膜，去除第二伪栅极，在去除第二伪栅极处形成第二金属栅极的步骤包括：

去除所述第二伪栅极，在所述介质层内形成第二栅极凹槽；

在所述介质层、保护层上形成第二栅极材料层，所述第二栅极材料层填充满所述第二栅极凹槽；

去除高于所述介质层的第二栅极材料层和保护层，在第二栅极凹槽内形成第二金属栅极。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，去除高于所述介质层的第二栅极材料层和保护层的方法为：采用化学机械研磨的方法同时去除高于所述介质层的第二栅极材料层和保护层。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述第一伪栅极和第二伪栅极的方法为干法刻蚀或湿法腐蚀。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一伪栅极和所述第二伪栅极的特征尺寸都大于40nm时，所述第一区域为NMOS区域，所述第二区域为PMOS区域，或者，所述第一区域为PMOS区域，所述第二区域为NMOS区域。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二伪栅极的特征尺寸小于等于40nm，或者，所述第一伪栅极和第二伪栅极的特征尺寸都小于等于40纳米时，所述第一区域为PMOS区域，所述第二区域为NMOS区域。