[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201410351505.2 | 申请日： | 2014-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104766791B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 林道远;杨怡箴;张耀文 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/22;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其形成方法，该形成方法包括形成一栅极结构在一衬底上；使用该栅极结构为一掩模执行第一掺杂离子的一轻掺杂漏极注入至该衬底中，以在该衬底中形成轻掺杂漏极区域；在该轻掺杂漏极注入后，使用该栅极结构为一掩模执行一前非晶化注入至该衬底中，以非晶化至少一部分的这些轻掺杂漏极区域；以及在该前非晶化注入后，使用该栅极结构为一掩模执行第二掺杂离子的一高掺杂注入至该衬底中，以形成与这些轻掺杂漏极区域至少部分重叠的高掺杂区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体装置的方法，包括：形成一栅极结构在一衬底上；使用该栅极结构为一掩模执行第一掺杂离子的一轻掺杂漏极注入至该衬底中，以在该衬底中形成轻掺杂漏极区域；在该轻掺杂漏极注入后，使用该栅极结构为一掩模执行一前非晶化注入至该衬底中，以非晶化至少一部分的这些轻掺杂漏极区域；以及在该前非晶化注入后，使用该栅极结构为一掩模执行第二掺杂离子的一高掺杂注入至该衬底中，以形成与这些轻掺杂漏极区域至少部分重叠的高掺杂区域；其中执行一前非晶化注入至该衬底中的步骤包括在0℃至‑100℃的环境温度下注入碳离子至该衬底中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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