[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体装置的方法，包括：

形成一栅极结构在一衬底上；

使用该栅极结构为一掩模执行第一掺杂离子的一轻掺杂漏极注入至该衬底中，以在该衬底中形成轻掺杂漏极区域；

在该轻掺杂漏极注入后，使用该栅极结构为一掩模执行一前非晶化注入至该衬底中，以非晶化至少一部分的这些轻掺杂漏极区域；以及

在该前非晶化注入后，使用该栅极结构为一掩模执行第二掺杂离子的一高掺杂注入至该衬底中，以形成与这些轻掺杂漏极区域至少部分重叠的高掺杂区域；

其中执行一前非晶化注入至该衬底中的步骤包括在0℃至-100℃的环境温度下注入碳离子至该衬底中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成该栅极结构在该衬底上的步骤包括形成该栅极结构在一n型硅衬底上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中注入碳离子至该衬底中的步骤包括注入碳离子在1E15cm^-2至5E15cm^-2的剂量。

4.根据权利要求1所述的方法，其中注入碳离子至该衬底中的步骤包括注入碳离子在10KeV至50KeV的注入能量。

5.根据权利要求1所述的方法，其中执行该轻掺杂漏极注入的步骤包括注入该第一掺杂离子为硼离子至该衬底中在1E13cm^-2至1E14cm^-2的剂量。

6.根据权利要求1所述的方法，其中执行该轻掺杂漏极注入的步骤包括注入该第一掺杂离子为硼离子至该衬底中在10KeV至30KeV的注入能量。

7.根据权利要求1所述的方法，其中执行该高掺杂注入的步骤包括注入该第二掺杂离子为硼离子至该衬底中在5E14cm^-2至5E15cm^-2的剂量。

8.根据权利要求1所述的方法，其中执行该高掺杂注入的步骤包括注入该第二掺杂离子为硼离子至该衬底中在10KeV至50KeV的注入能量。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成该栅极结构的步骤包括：

形成一栅极隔离层在该衬底上；以及

形成一栅极电极在该栅极隔离层上。

10.根据权利要求1所述的方法，更包括：

在该轻掺杂漏极注入后，形成栅极间隔物在该栅极结构的侧壁。

11.根据权利要求10所述的方法，其中：

执行该前非晶化注入的步骤包括使用包含该栅极结构及该栅极间隔物的一结构为一掩模执行该前非晶化注入；以及

执行该高掺杂注入的步骤包括使用包含该栅极结构及该栅极间隔物的该结构为一掩模执行该高掺杂注入。

12.根据权利要求1所述的方法，更包括：

在该高掺杂注入后，执行退火。