[发明专利]湿法刻蚀装置及其刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410351266.0 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104091775A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 常建宇 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/311 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;杨林 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种湿法刻蚀装置，包括刻蚀槽(110)、设置在刻蚀槽(110)之内的多根滚轮(120)、浸泡槽(130)及升降器(140)，多根滚轮(120)用于承载待刻蚀的基板(150)，浸泡槽(130)设置在刻蚀槽(110)之内，并位于滚轮(120)之下，升降器(140)设置在浸泡槽(130)的底板(131)的下表面上，升降器(140)推动浸泡槽(130)上升或下降，以使浸泡槽(130)中的刻蚀液浸没或脱离待刻蚀的基板(150)。本发明在利用多根滚轮将基板传送至刻蚀槽中的同时，可向浸泡槽中注满新的刻蚀液，利于缩短浸泡刻蚀时间。此外，本发明将浸泡槽内已使用的刻蚀液完全排出，从而避免由于浸泡槽内的刻蚀液的置换能力不足，长时间积累使得刻蚀液变质的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种湿法刻蚀装置，包括刻蚀槽(110)及设置在刻蚀槽(110)之内的多根滚轮(120)，所述多根滚轮(120)用于承载待刻蚀的基板(150)，其特征在于，所述湿法刻蚀装置还包括浸泡槽(130)及升降器(140)，其中，所述浸泡槽(130)设置在所述刻蚀槽(110)之内，并位于所述滚轮(120)之下，所述升降器(140)设置在所述浸泡槽(130)的底板(131)的下表面上，所述升降器(140)推动所述浸泡槽(130)上升或下降，以使所述浸泡槽(130)中的刻蚀液浸没或脱离所述待刻蚀的基板(150)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
