[发明专利]湿法刻蚀装置及其刻蚀方法有效
申请号: | 201410351266.0 | 申请日: | 2014-07-22 |
公开(公告)号: | CN104091775A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 常建宇 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/311 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;杨林 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿法 刻蚀 装置 及其 方法 | ||
1.一种湿法刻蚀装置,包括刻蚀槽(110)及设置在刻蚀槽(110)之内的多根滚轮(120),所述多根滚轮(120)用于承载待刻蚀的基板(150),其特征在于,所述湿法刻蚀装置还包括浸泡槽(130)及升降器(140),其中,所述浸泡槽(130)设置在所述刻蚀槽(110)之内,并位于所述滚轮(120)之下,所述升降器(140)设置在所述浸泡槽(130)的底板(131)的下表面上,所述升降器(140)推动所述浸泡槽(130)上升或下降,以使所述浸泡槽(130)中的刻蚀液浸没或脱离所述待刻蚀的基板(150)。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述浸泡槽(130)的第一侧板(132)和第二侧板(133)的厚度均小于任意两根所述滚轮(120)之间的最小间隔。
3.根据权利要求1或2所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述浸泡槽(130)的第一侧板(132)和第二侧板(133)均沿竖直方向下降,以使所述第一侧板(132)和第二侧板(133)的顶面平齐于或低于所述底板(131)的上表面,从而使所述浸泡槽(130)中已使用的刻蚀液完全排出。
4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述湿法刻蚀装置还包括第一电磁阀(161)和第二电磁阀(162),其中,所述第一电磁阀(161)设置在所述第一侧板(132)上,用于控制所述第一侧板(132)上升或下降,所述第二电磁阀(162)设置在所述第二侧板(133)上,用于控制所述第二侧板(133)上升或下降。
5.根据权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述浸泡槽(130)由聚氯乙烯材料形成。
6.根据权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述升降器(140)的外表面包裹耐腐蚀性材料。
7.根据权利要求4所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述第一电磁阀(161)和第二电磁阀(162)的外表面均包裹耐腐蚀性材料。
8.一种权利要求1至7任一项所述的湿法刻蚀装置的刻蚀方法,其特征在于,包括:
利用多根滚轮(120)将待刻蚀的基板(150)传送至刻蚀槽(110)中,同时在浸泡槽(130)中注满刻蚀液;
利用升降器(140)推动所述浸泡槽(130)上升,以使所述浸泡槽(130)中的刻蚀液浸没所述待刻蚀的基板(150),对所述待刻蚀的基板(150)进行刻蚀。
9.根据权利要求8所述的刻蚀方法,其特征在于,还包括:
在所述待刻蚀的基板(150)刻蚀完成之后,利用升降器(140)推动所述浸泡槽(130)下降,以使刻蚀液脱离经刻蚀的基板(150)。
10.根据权利要求9所述的刻蚀方法,其特征在于,还包括:
将所述浸泡槽(130)的相对的第一侧板(132)和第二侧板(133)沿竖直方向下降,以使所述第一侧板(132)和第二侧板(133)的顶面平齐于或低于所述底板(131)的上表面,从而使所述浸泡槽(130)中已使用的刻蚀液完全排出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造