[发明专利]湿法刻蚀装置及其刻蚀方法有效
申请号: | 201410351266.0 | 申请日: | 2014-07-22 |
公开(公告)号: | CN104091775A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 常建宇 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/311 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;杨林 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿法 刻蚀 装置 及其 方法 | ||
技术领域
本发明涉及湿法刻蚀技术领域,具体地讲,涉及一种湿法刻蚀装置及其刻蚀方法。
背景技术
湿法刻蚀工艺指的是采用液态化学药品对刻蚀物进行去除的刻蚀技术。湿法刻蚀是用适当的刻蚀液,与刻蚀物进行化学反应,改变刻蚀物的结构,使无光刻胶覆盖的部分脱离基片表面,而把有光刻胶覆盖的区域保存下来,这样便在基片表面得到了所需要的图案。
在液晶显示面板制造过程中,对玻璃基板进行湿法刻蚀的模式主要包括喷淋(Spray)模式和浸泡(Dip)模式。
在传统的浸泡模式中,如图1所示,湿法刻蚀装置包括刻蚀槽11及设置在刻蚀槽11内的多根平行的滚轮12,其中,刻蚀槽11的左右两侧板上分别设有阀门13。待刻蚀的玻璃基板14在滚轮12的带动下进入刻蚀槽11后,需要将化学刻蚀液注满后才能对玻璃基板14进行浸泡刻蚀,这样不利于缩短浸泡刻蚀时间。此外,随着浸泡刻蚀的进行,刻蚀槽11内的化学刻蚀液的有效成分变化较快,而通过刻蚀槽11的阀门13无法将刻蚀槽11内的化学刻蚀液完全排出,导致化学刻蚀液的置换能力不足,长时间积累会使得刻蚀槽11内的化学刻蚀液变质,从而影响对玻璃基板14的刻蚀品质。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题,本发明的目的在于提供一种湿法刻蚀装置,包括刻蚀槽及设置在刻蚀槽之内的多根滚轮,所述多根滚轮用于承载待刻蚀的基板,其中,所述湿法刻蚀装置还包括浸泡槽及升降器,其中,所述浸泡槽设置在所述刻蚀槽之内,并位于所述滚轮之下,所述升降器设置在所述浸泡槽的底板的下表面上,所述升降器推动所述浸泡槽上升或下降,以使所述浸泡槽中的刻蚀液浸没或脱离所述待刻蚀的基板。
进一步地,所述浸泡槽的第一侧板和第二侧板的厚度均小于任意两根所述滚轮之间的最小间隔。
进一步地,所述浸泡槽的第一侧板和第二侧板均沿竖直方向下降,以使所述第一侧板和第二侧板的顶面平齐于或低于所述底板的上表面,从而使所述浸泡槽中已使用的刻蚀液完全排出。
进一步地,所述湿法刻蚀装置还包括第一电磁阀和第二电磁阀,其中,所述第一电磁阀设置在所述第一侧板上,用于控制所述第一侧板上升或下降,所述第二电磁阀设置在所述第二侧板上,用于控制所述第二侧板上升或下降。
进一步地,所述浸泡槽由聚氯乙烯材料形成。
进一步地,所述升降器的外表面包裹耐腐蚀性材料。
进一步地,所述第一电磁阀和第二电磁阀的外表面均包裹耐腐蚀性材料。
本发明的另一目的还在于提供一种上述的湿法刻蚀装置的刻蚀方法,其包括:利用多根滚轮将待刻蚀的基板传送至刻蚀槽中,同时在浸泡槽中注满刻蚀液;利用升降器推动所述浸泡槽上升,以使所述浸泡槽中的刻蚀液浸没所述待刻蚀的基板,对所述待刻蚀的基板进行刻蚀。
进一步地,所述刻蚀方法还包括:在所述待刻蚀的基板刻蚀完成之后,利用升降器推动所述浸泡槽下降,以使所述刻蚀液脱离经刻蚀的基板。
进一步地,所述刻蚀方法还包括:将所述浸泡槽的相对的第一侧板和第二侧板沿竖直方向下降,以使所述第一侧板和第二侧板的顶面平齐于或低于所述底板的上表面,从而使所述浸泡槽中的刻蚀液完全排出。
本发明的湿法刻蚀装置及其刻蚀方法,在利用多根滚轮将基板传送至刻蚀槽中的同时,可向浸泡槽中注满新的刻蚀液,这样就无需等到基板被多根滚轮带动传送至刻蚀槽之后,才向浸泡槽注入刻蚀液,利于缩短浸泡刻蚀时间。此外,本发明的湿法刻蚀装置及其刻蚀方法能够将浸泡槽内已使用的刻蚀液完全排出,从而避免由于浸泡槽内的刻蚀液的置换能力不足,长时间积累使得刻蚀液变质的现象。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述,本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚,附图中:
图1是现有的湿法刻蚀装置的结构示意图;
图2是根据本发明的实施例的湿法刻蚀装置的结构示意图;
图3a至图3d分别示出利用根据本发明的实施例的湿法刻蚀装置刻蚀基板的刻蚀过程图。
具体实施方式
以下,将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而,可以以许多不同的形式来实施本发明,并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反,提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用,从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
图2是根据本发明的实施例的湿法刻蚀装置的结构示意图。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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