[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201410348380.8 | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN105329843A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 何昭文;郑召星;袁俊;周志美;朱筠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 万铁占;张亚利 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供第一晶圆，形成有间隔排布的MEMS器件，在第一晶圆上，对应每个MEMS器件具有一个环绕MEMS器件的第一区，所有第一区外的区域作为第二区；提供第二晶圆，具有正面和背面，正面形成有若干第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽的侧壁为环形，第二凹槽对应整个第二区的位置；将第二晶圆正面与第一晶圆键合，每个第一凹槽的侧壁在一个第一区与第一晶圆通过键合结合；使用切刀切割部分厚度的第二晶圆，在第二晶圆背面形成第三凹槽；刻蚀去除第三凹槽底部的第二晶圆部分，露出第一晶圆的切割位置。在切割过程中切刀不会损伤到第一晶圆表面，第一晶圆表面特性较好，使得MEMS器件性能较佳。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆上形成有若干间隔排布的MEMS器件，在所述第一晶圆上，对应每个MEMS器件具有一个环绕MEMS器件的第一区，所述第一区为键合区，所述第一晶圆上所有第一区外的区域作为第二区；提供第二晶圆，所述第二晶圆具有正面和背面，所述第二晶圆的正面形成有若干第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽的侧壁为环形，每个所述第一凹槽侧壁对应一个第一区的位置，所述第二凹槽对应整个第二区的位置；将所述第二晶圆正面与第一晶圆键合，每个第一凹槽的侧壁在一个第一区与第一晶圆通过键合结合，所述第二区与第二凹槽相对；沿垂直于第二晶圆背面方向，在第二晶圆背面对应全部第二凹槽的位置，使用切刀切割部分厚度的第二晶圆，在第二晶圆背面形成第三凹槽，所述第三凹槽对应所述第一晶圆的切割位置，所有第一区在第二晶圆背面的投影为第三凹槽所包围；刻蚀去除第三凹槽底部的第二晶圆部分，露出所述第一晶圆的切割位置。
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