[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆，在所述第一晶圆上形成有若干间隔排布的MEMS器件，在所述第一晶圆上，对应每个MEMS器件具有一个环绕MEMS器件的第一区，所述第一区为键合区，所述第一晶圆上所有第一区外的区域作为第二区；

提供第二晶圆，所述第二晶圆具有正面和背面，所述第二晶圆的正面形成有若干第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽的侧壁为环形，每个所述第一凹槽侧壁对应一个第一区的位置，所述第二凹槽对应整个第二区的位置；

将所述第二晶圆正面与第一晶圆键合，每个第一凹槽的侧壁在一个第一区与第一晶圆通过键合结合，所述第二区与第二凹槽相对；

沿垂直于第二晶圆背面方向，在第二晶圆背面对应全部第二凹槽的位置，使用切刀切割部分厚度的第二晶圆，在第二晶圆背面形成第三凹槽，所述第三凹槽对应所述第一晶圆的切割位置，所有第一区在第二晶圆背面的投影为第三凹槽所包围；

刻蚀去除第三凹槽底部的第二晶圆部分，露出所述第一晶圆的切割位置。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，使用干法刻蚀，去除所述凹槽底部的第二晶圆部分。

3.如权利要求2所述的半导体的形成方法，其特征在于，在干法刻蚀过程中，使用终点监测技术。

4.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在干法刻蚀过程中使用的气体为SF₆和C₄F₈的混合气体。

5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述干法刻蚀过程中，SF₆的流量范围为570sccm～630sccm，C₄F₈的流量范围为315sccm～385sccm，源功率范围为1320W～3080W，刻蚀过程中刻蚀腔内的压力范围为40mTorr～50mTorr。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在键合后、使用切刀切割部分厚度的第二晶圆之前，对所述第二晶圆进行减薄处理。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述键合过程处于真空环境中。

8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述MEMS器件为MEMS时钟。

9.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述第二晶圆进行减薄处理的方法为化学机械研磨。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一凹槽的底面与MEMS器件之间的距离范围为5μm～50μm。