[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该器件可以包括：n-型外延层，该n-型外延层设置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；p型外延层，该p型外延层设置在n-型外延层上；n+区域，该n+区域设置在p型外延层上；沟槽，该沟槽通过p型外延层和n+区域并且设置在n-型外延层上；p+区域，该p+区域设置在n-型外延层上并且与沟槽隔开；栅极绝缘层，该栅极绝缘层定位在沟槽中；栅电极，该栅电极定位在栅极绝缘层上；氧化层，该氧化层定位在栅电极上；源电极，该源电极定位在n+区域、氧化层和p+区域上；以及漏电极，该漏电极定位在n+型碳化硅衬底的第二表面上，其中沟道定位在沟槽的两侧上。

主权项

一种半导体器件，包括：n‑型外延层，所述n‑型外延层设置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；p型外延层，所述p型外延层设置在所述n‑型外延层上；n+区域，所述n+区域设置在所述p型外延层上；沟槽，所述沟槽通过所述p型外延层和所述n+区域，并且设置在所述n‑型外延层上；p+区域，所述p+区域设置在n‑型外延层上并且与所述沟槽隔开；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层定位在所述沟槽中；栅电极，所述栅电极定位在所述栅极绝缘层上；氧化层，所述氧化层定位在所述栅电极上；源电极，所述源电极定位在所述n+区域、氧化层和p+区域上；以及漏电极，所述漏电极定位在所述n+型碳化硅衬底的第二表面上，其中沟道定位在所述沟槽的两侧上，并且所述沟道包括作为反型层沟道的第一沟道和定位在所述第一沟道之下并且作为积累层沟道的第二沟道。