[发明专利]一种支持晶圆级芯片尺寸封装的半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201410340277.9 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104201105A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 欧阳伟伦;梁安杰;罗文健 | 申请（专利权）人： | 香港商莫斯飞特半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王金双 |
| 地址： | 中国香港沙田科学园一期科*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种支持晶圆级芯片尺寸封装的半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤：利用沟槽掩模对晶圆衬底上的外延层进行侵蚀而形成多个栅极沟槽，并注入掺杂剂分别形成源区和基区；利用接触孔掩模，对层间介质进行侵蚀形成接触沟槽，并对接触沟槽进行填充形成沟槽插塞；利用漏区掩模，对层间介质进行侵蚀形成一個与漏极连接的槽；利用金属掩模进行金属侵蚀，形成金属垫层和连线。本发明的制造方法，使器件的栅极、源极和漏极都在同一个表面，使半导体器件可支持晶圆级芯片尺寸封装，从而减少封装成本和时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 支持 晶圆级 芯片 尺寸 封装 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种支持晶圆级芯片尺寸封装的半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤：利用沟槽掩模对晶圆衬底上的外延层进行侵蚀而形成多个栅极沟槽，并注入掺杂剂分别形成源区和基区；利用接触孔掩模，对层间介质进行侵蚀形成接触沟槽，并对接触沟槽进行填充形成沟槽插塞；利用漏区掩模，对层间介质进行侵蚀形成一個与漏极连接的槽；利用金属掩模进行金属侵蚀，形成金属垫层和连线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于香港商莫斯飞特半导体有限公司;，未经香港商莫斯飞特半导体有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410340277.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：芯片级封装方法
- 下一篇：用于离子迁移谱仪的空气干燥器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
