[发明专利]隧穿场效应晶体管及隧穿场效应晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201410336815.7 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104134695A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 杨喜超;赵静;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种隧穿场效应晶体管其包括：第一掺杂类型衬底；沟道，凸出设置于所述第一掺杂类型衬底中部；源区，设置于所述第一掺杂类型衬底上，且围绕所述沟道设置；外延层，设置于所述源区上，围绕所述沟道设置；栅介质层，设置于所述外延层上，且围绕所述沟道设置；栅极区，围绕设置于所述栅介质层上；以及漏区，设置在所述沟道远离所述衬底的端部。本发明穿场效应晶体管具有较高的驱动电流，陡直的亚阈值摆幅，较小的泄漏电流以及较高的芯片集成密度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管包括：第一掺杂类型衬底；沟道，凸出设置于所述第一掺杂类型衬底中部；源区，设置于所述第一掺杂类型衬底上，且围绕所述沟道设置；外延层，设置于所述源区上，围绕所述沟道设置；栅介质层，设置于所述外延层上，且围绕所述沟道设置；栅极区，设置于所述栅介质层上；以及漏区，设置在所述沟道远离所述衬底的端部。
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