[发明专利]隧穿场效应晶体管及隧穿场效应晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管包括：

第一掺杂类型衬底；

沟道，凸出设置于所述第一掺杂类型衬底中部；

源区，设置于所述第一掺杂类型衬底上，且围绕所述沟道设置；

外延层，设置于所述源区上，围绕所述沟道设置；

栅介质层，设置于所述外延层上，且围绕所述沟道设置；

栅极区，设置于所述栅介质层上；以及

漏区，设置在所述沟道远离所述衬底的端部。

2.如权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管还包括：

电极，所述电极对应连接所述源区、漏区及栅极区，以形成所述源极、漏极及栅极。

3.如权利要求2所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管还包括：

第一隔离层，设置于所述源区上，所述第一隔离层形成有第一贯孔，所述源极穿过所述第一贯孔以连接所述源区；

第二隔离层，设置于所述栅极区上，所述第二隔离层形成有第二贯孔，所述栅极穿过所述第二贯孔以连接所述栅极区。

4.如权利要求2所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管还包括：

第一隔离层，设置于所述源区上，所述第一隔离层形成有第一贯孔；

第二隔离层，设置于所述第一隔离层及所述栅极区上，所述第二隔离层形成有对应所述第一贯孔的第二贯孔以及对应所述栅极区的第三贯孔；

所述源极穿过所述第一贯孔及所述第二贯孔连接所述源区，所述栅极穿过所述第三贯孔连接所述栅极区。

5.如权利要求2至4任意一项所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管还包括：

第一欧姆接触层，所述源极通过所述第一欧姆接触层与所述源区连接。

6.如权利要求2至5任意一项所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管还包括：

第二欧姆接触层，所述栅极通过所述第二欧姆接触层与所述栅极区连接。

7.如权利要求1至6任意一项所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述栅介质层包括第一部分及与所述第一部分连接的第二部分，所述第一部分设置于所述外延层上且环绕所述沟道设置且与所述沟道连接，所述第二部分设置于所述外延层上且所述第二部分的一端连接所述第一部分的一端。

8.如权利要求7所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述栅极区设置于所述第二部分上且所述栅极区一端环绕所述第一部分。

9.如权利要求1至8任意一项所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述源区为由所述第一掺杂类型衬底进行第二掺杂类型离子掺杂而形成，所述漏区由所述沟道进行第一掺杂类型离子掺杂而形成。

10.如权利要求9所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型为N型；或者所述第一掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型为P型。

11.一种隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管的制备方法包括：

提供第一掺杂类型衬底；

形成凸出设置于所述第一掺杂类型衬底中部的沟道；

在所述第一掺杂类型衬底上，且围绕所述沟道形成源区；

围绕所述沟道且在源区远离所述第一掺杂类型衬底的部分表面依次形成外延层及栅介质层；

围绕所述沟道且在所述栅介质层上形成栅极区；以及

在所述沟道远离所述第一掺杂类型衬底的端部形成漏区。

12.如权利要求11所述的隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管的制备方法还包括：

对应所述源区、漏区及栅极区分别形成与源极、漏极及栅极，所述源极、所述漏极及所述栅极分别与所述源区、漏区及栅极区连接。