[发明专利]自对准沟槽型功率器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种自对准沟槽型功率器件的制造方法，包括：在硅片表面注入离子并进行高温退火，形成P型和N型注入区域，依次制备第一氧化硅层、氧化镁层和第二氧化硅层；在第二氧化硅层上生长掩膜材料，以形成掩膜图形；进行刻蚀，形成沟槽；采用酸性溶液去除掩膜材料；在此时的硅晶片表面制备多晶硅层，使沟槽内填充上多晶硅；使用干法刻蚀将硅晶片表面的多晶硅去除；进行热氧化和干法刻蚀；对热氧化和干法刻蚀后的硅晶片进行注入，以形成源极接触区；在形成源极接触区的硅晶片表面制备金属层，并进行退火。相应地，本发明还提出了一种自对准沟槽型功率器件。通过该技术方案，减小了器件面积，降低了器件的导通电阻和制造成本，提高了器件性能。

主权项

1.一种自对准沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，包括：在硅片表面通过离子注入的方式注入离子，以得到硅晶片；对所述硅晶片进行高温退火工艺，以在所述硅晶片内部形成P型注入区域和N型注入区域；在所述硅晶片的表面依次制备第一氧化硅层、氧化镁层和第二氧化硅层；在所述第二氧化硅层上生长掩膜材料，以形成掩膜图形；对形成掩膜图形的硅晶片进行刻蚀，形成沟槽；采用酸性溶液去除所述形成掩膜图形的硅晶片上的掩膜材料；在去除所述掩膜材料的硅晶片的表面制备多晶硅层，以使所述沟槽内填充上所述多晶硅，所述氧化镁层位于所述沟槽外；使用干法刻蚀将已制备所述多晶硅的硅晶片表面的多晶硅去除；对去除所述多晶硅的硅晶片进行热氧化以在所述沟槽的开口处形成氧化硅作为刻蚀掩膜，对形成刻蚀掩膜的硅晶片进行干法刻蚀；对热氧化和干法刻蚀后的硅晶片进行注入，以形成源极接触区；在形成所述源极接触区的硅晶片表面制备金属层，并进行退火。