[发明专利]自对准沟槽型功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410320926.9 | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN105226002B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 沟槽 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种自对准沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，包括：
在硅片表面通过离子注入的方式注入离子，以得到硅晶片；
对所述硅晶片进行高温退火工艺，以在所述硅晶片内部形成P型注入区域和N型注入区域；
在所述硅晶片的表面依次制备第一氧化硅层、氧化镁层和第二氧化硅层；
在所述第二氧化硅层上生长掩膜材料，以形成掩膜图形；
对形成掩膜图形的硅晶片进行刻蚀，形成沟槽；
采用酸性溶液去除所述形成掩膜图形的硅晶片上的掩膜材料；
在去除所述掩膜材料的硅晶片的表面制备多晶硅层，以使所述沟槽内填充上所述多晶硅，所述氧化镁层位于所述沟槽外；
使用干法刻蚀将已制备所述多晶硅的硅晶片表面的多晶硅去除；
对去除所述多晶硅的硅晶片进行热氧化以在所述沟槽的开口处形成氧化硅作为刻蚀掩膜，对形成刻蚀掩膜的硅晶片进行干法刻蚀；
对热氧化和干法刻蚀后的硅晶片进行注入，以形成源极接触区；
在形成所述源极接触区的硅晶片表面制备金属层，并进行退火。
2.根据权利要求1所述的自对准沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，通过离子注入方式注入的离子包括：氢离子、氦离子、硼离子、砷离子和/或铝离子。
3.根据权利要求1所述的自对准沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，所述高温退火工艺的温度范围为500℃至2000℃，持续时间为10分钟至1000分钟。
4.根据权利要求1所述的自对准沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，所述掩膜材料包括光刻胶和介质层。
5.根据权利要求1所述的自对准沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，对所述形成掩膜图形的硅晶片进行刻蚀时，刻蚀方法包括干法刻蚀和/或湿法刻蚀。
6.根据权利要求1所述的自对准沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，所述酸性溶液包括硫酸、盐酸、硝酸和/或HF酸。
7.根据权利要求1所述的自对准沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，所述沟槽的沟槽深度为0.1um至10um。
8.根据权利要求1所述的自对准沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，所述第一氧化硅层、所述氧化镁层、所述第二氧化硅层和/或所述多晶硅层的厚度为0.1um至10um。
9.根据权利要求1所述的自对准沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，所述源极接触区的接触沟槽深度为0.1um至10um。
10.一种自对准沟槽型功率器件，其特征在于，所述自对准沟槽型功率器件由如权利要求1至9中任一项所述的自对准沟槽型功率器件的制造方法制作而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
