[发明专利]磁场生成设备和溅射设备有效
| 申请号： | 201410319170.6 | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104278243B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木纯;阿部淳博;平塚亮一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够轻易地调节磁场分布的磁场生成设备和使用所述磁场生成设备的溅射设备，所述磁场生成设备包括：两个以上主磁极部，其用于生成主磁场；一个以上副磁极部，其包括通过分割得到的多个第一分割磁体，并且生成用于对生成的主磁场进行调节的副磁场；以及轭部，其包括对应于所述一个以上副磁极部而与所述多个第一分割磁体相对的一个以上第一轭。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 生成 设备 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种磁场生成设备，其包括：两个以上主磁极部，其用于生成主磁场；一个以上副磁极部，其包括通过分割得到的多个第一分割磁体，并且生成用于对所生成的所述主磁场进行调节的副磁场；背轭；以及轭部，其包括对应于所述一个以上副磁极部而与所述多个第一分割磁体相对的一个以上第一轭，其中：所述两个以上主磁极部分别包括通过分割得到的多个第二分割磁体；所述轭部包括对应于所述两个以上主磁极部而与所述多个第二分割磁体相对的两个以上第二轭；所述背轭位于所述两个以上主磁极部和所述一个以上副磁极部的下侧；以及所述轭部位于所述两个以上主磁极部和所述一个以上副磁极部的上侧，且所述一个以上第一轭设置在所述多个第一分割磁体的上侧，所述两个以上第二轭设置在所述多个第二分割磁体的上侧。
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