[发明专利]磁场生成设备和溅射设备

说明书

本发明提供一种能够轻易地调节磁场分布的磁场生成设备和使用所述磁场生成设备的溅射设备，所述磁场生成设备包括：两个以上主磁极部，其用于生成主磁场；一个以上副磁极部，其包括通过分割得到的多个第一分割磁体，并且生成用于对生成的主磁场进行调节的副磁场；以及轭部，其包括对应于所述一个以上副磁极部而与所述多个第一分割磁体相对的一个以上第一轭。

技术领域

本发明涉及一种磁场生成设备和一种使用所述磁场生成设备的溅射设备。

背景技术

日本专利No.4845836(下文称为专利文件1)公开了一种用于在由晶片、玻璃等形成的基板表面上形成薄膜的磁控溅射设备。如专利文件1中的图1等所示，中央磁体2竖直设置在底部轭1的中央部，外围磁体3竖直设置以便围绕中央磁体2的外围。第一辅助磁体4和第二辅助磁体5竖直设置在中央磁体2和外围磁体3之间。通过具有这类结构的磁路，所形成的磁场的分布为靶7的表面上的垂直磁场分量三次穿过零值。于是，靶7可被均匀地溅射(见专利文件1的第[0020]段到第[0025]段等)。

进一步地，日本专利申请公开号No.2006-16634(下文称为专利文件2)还公开了一种在磁控溅射设备中使用的磁场生成装置。如专利文件2中的图1等所示，提供了中间侧永磁体1和外侧永磁体2作为用于生成磁场的磁路，外侧永磁体2设置为围绕中间侧永磁体1。进一步地，由磁性材料形成的分流板6设置在中间侧永磁体1和外侧永磁体2之间，同时与靶表面平行。分流板6可设置为使靶10的表面上的垂直磁场分量在零点处或接近零点处变为平坦，或三次穿过零点。通过这种磁场，扩大了靶10被磁场侵蚀的侵蚀区域(见专利文件2的第[0021]、[0028]、[0032]段等)。

发明内容

如上所述，在专利文件1和2公开的磁控溅射设备中，使用了一种使靶表面上的磁场分量变平坦的技术。在这类磁控溅射设备中，需要一种能够轻易地调节磁场分布的技术。

在如上所述的情况中，需要能够轻易地调节磁场分布的磁场生成设备和使用所述磁场生成设备的溅射设备。

根据本发明的实施例，提供了一种磁场生成设备，所述磁场生成设备包括两个以上主磁极部、一个以上副磁极部以及轭部。

所述两个以上主磁极部用于生成主磁场。

所述一个以上副磁极部包括通过分割得到的多个第一分割磁体，并且生成用于对生成的主磁场进行调节的副磁场。

所述轭部包括对应于所述一个以上副磁极部而与所述多个第一分割磁体相对的一个以上第一轭。

在所述磁场生成设备中，所述多个第一分割磁体设置为生成用于对所述主磁场进行调节的所述副磁场。例如，通过对所述多个第一分割磁体的数量、位置等进行调节，可轻易地调节所述副磁场的强度和分布。结果，可轻易地调节所述主磁场的分布。此外，所述第一轭设置为对应于所述副磁极部而与所述多个第一分割磁体相对。于是，可以防止由所述多个第一分割磁体生成的所述副磁场变得不均匀。

所述两个以上主磁极部分别包括通过分割得到的多个第二分割磁体。在这种情况下，所述轭部包括对应于所述两个以上主磁极部而与所述多个第二分割磁体相对的两个以上第二轭。

在该结构中，通过对所述多个第二分割磁体的数量、位置等进行调节，可轻易地调节例如所述主磁场的强度和分布。由于所述第二轭设置为与所述多个第二分割磁体相对，可以防止由所述多个第二分割磁体生成的所述主磁场变得不均匀。

所述磁场生成设备进一步包括生成部，所述生成部是所述主磁场的生成位置。