[发明专利]碳化硅介孔阵列材料及其制备方法

摘要

本发明碳化硅介孔阵列材料及其制备方法，具体指一种耐高温、抗腐蚀、拥有均匀介孔阵列的宽禁带碳化硅材料的制备技术，涉及多孔半导体器件制备技术领域。本发明通过在样品Si面粘附双导铜箔来简化由阳极氧化所需制备背电极金属接触的预备工作。相比较双槽电化学腐蚀，省去了一部份电解液并且简化了制备器具。制备过程中通过选择适当的脉冲频率和停留时间对两极施加恒脉冲电流，得到纵向孔径一致且帽层过渡层仅在多孔层厚度为的介孔阵列。相比较现有制备工艺具有可重复性强，成品率高等优点。在为电力电子和航天航空领域，应用高载流子迁移率，热导率，抗腐蚀，耐高压等优点的第三代半导体的碳化硅产品，提供坚实的技术物质基础。

主权项

一种碳化硅介孔阵列材料，其特征在于，包含基于n型重掺杂4H‑SiC晶圆片衬底，厚度为300～500μm，双面抛光，经电化学刻蚀制备的在C面的4H‑SiC介孔阵列；其中，双导铜箔胶带经过裁剪均粘附于面积为1cm2的4H‑SiC的Si面上，形成肖特基接触，采用导电银胶作为样品与铜箔的粘附剂；阴极杆长为10cm，杆身导电材料为铜，其外包覆聚四氟乙烯，杆底端是与杆呈直角的铂网，铂网面积为2cm2。