[发明专利]碳化硅介孔阵列材料及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅介孔阵列材料，其特征在于，包含基于n型重掺杂4H-SiC衬底，厚度为300～500μm，双面抛光，经电化学刻蚀制备的在C面的4H-SiC介孔阵列。

2.如权利要求1所述的一种碳化硅介孔阵列材料，其特征在于，所述重掺杂n型4H-SiC晶圆片为经过PVT法生长的晶锭经定向、切割、双面抛光，双面CMP抛光得到的工业化晶片，面积为100㎝²。

3.如权利要求1所述的一种碳化硅介孔阵列材料，其特征在于，所述介孔孔径范围为18-30nm，孔壁厚度范围为18-30nm，多孔层厚度范围为19-25μm，刻蚀面积为1㎝²圆形刻蚀面。

4.如权利要求1所述的一种碳化硅介孔阵列材料，其特征在于，所述的双导铜箔胶带经过裁剪均粘附于面积为1㎝²的4H-SiC的Si面上，形成肖特基接触，采用导电银胶作为样品与铜箔的粘附剂。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅介孔阵列材料，其特征在于，所述的阴极杆长为10cm，杆身导电材料为铜，其外包覆聚四氟乙烯，杆底端是与杆呈直角的铂网，铂网面积为2㎝²。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅介孔阵列材料，其特征在于，所述n型重掺杂4H-SiC衬底厚度为320μm，所述最佳介孔孔径为19nm，孔壁厚度为20nm,多孔层厚度为24nm。

7.如权利要求1所述的一种碳化硅介孔阵列材料的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：

步骤1，清洗样品氧化层并切割处理；

步骤2，将双导铜箔裁剪成面积为1cm²样品的方形，然后均匀粘附于样品Si面；

步骤3，将样品固定于刻蚀槽体阳极位置，将铂网阴极至于阳极正上方2cm处；

步骤4，配置氢氟酸49％：乙醇99％：双氧水30％＝3：6：1体积比的混合液作为电解液；

步骤5，设定频率为2500Hz的正向电流，正向电流100％，电流密度为40mA/cm²，正向占宽比为50％的恒流脉冲，开启电源，总时间为7min；

步骤6，取出样品将其浸泡于乙醇99％溶液中2min，然后用N₂吹干，即获得所述的碳化硅介孔阵列。