[发明专利]降低半导体器件功耗的系统及方法有效
| 申请号： | 201410308795.2 | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104281728B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | A·M·雅拉尔;M·D·霍尔;D·R·提波尔;S·维拉拉格哈凡 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;G06F1/3234 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及降低半导体器件功耗的系统及方法。一种制作第一时序路径(406,408)的方法包括开发具有第一逻辑电路(406)和第一功能单元(408)的第一时序路径的第一设计，其中第一功能单元包括与第一阱边界间隔开的第一晶体管。所述第一时序路径被分析以确定第一时序路径是否具有正时序余量。如果分析的操作速度显示正时序余量，设计被改变(214)为修改后的设计以通过将第一晶体管移至更靠近第一阱边界来降低第一时序路径的泄漏功耗。而且，通过使用所述修改后的设计来建立第一时序路径以通过降低第一晶体管的功耗来降低第一时序路径的泄漏功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 半导体器件 功耗 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作第一时序路径的方法，包括：开发具有第一逻辑电路和第一功能单元的所述第一时序路径的第一设计，其中所述第一功能单元包括与第一阱边界间隔开的第一晶体管；分析所述第一时序路径以确定所述第一时序路径是否具有正时序余量；以及如果分析的操作速度显示正时序余量：将所述第一设计改变成修改的设计以通过将所述第一晶体管移至更靠近所述第一阱边界来降低所述第一时序路径的泄漏功耗；以及使用所述修改的设计来建立所述第一时序路径以通过降低所述第一晶体管的功耗来降低所述第一时序路径的泄漏功耗。
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