[发明专利]功率半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了功率半导体器件及其制造方法。其中，该功率半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体区；形成于第一半导体区中并且为第二导电类型的第二半导体区；形成于第二半导体区之上并且为第二导电类型的阱区；以及形成于阱区中并且为第一导电类型的源极区，其中，第二半导体区包括从器件的下部沿该器件的高度方向延伸形成的1至n层，并且在第n层的第二半导体区的最宽宽度为P_n的情况下，P₁<P_n，其中，n≥2。

主权项

一种功率半导体器件，包括：第一导电类型的第一半导体区；第二半导体区，形成于所述第一半导体区中并且为第二导电类型；阱区，形成于所述第二半导体区之上并且为所述第二导电类型；以及源极区，形成于所述阱区中并且为所述第一导电类型，其中，所述第二半导体区包括从所述器件的下部向上延伸的1至n层，以及所述第n层的所述第二半导体区的最宽宽度为P_n，P₁<P_n，其中，n≥2。