[发明专利]功率半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件，包括：

第一导电类型的第一半导体区；

第二半导体区，形成于所述第一半导体区中并且为第二导电类型；

阱区，形成于所述第二半导体区之上并且为所述第二导电类型；以及

源极区，形成于所述阱区中并且为所述第一导电类型，

其中，所述第二半导体区包括从所述器件的下部向上延伸的1至n层，以及

所述第n层的所述第二半导体区的最宽宽度为P_n，P₁<P_n，其中，n≥2。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述第n层的所述第二半导体区的所述最宽宽度为P_n，P_n-1<P_n，其中，n≥2。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，当所述第n层的所述第二半导体区中，在所述器件的高度方向上，在第二导电类型杂质的浓度最高的部分的杂质的浓度为D_n时，D₁<D_n，其中，n≥2。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，当所述第n层的所述第二半导体区中，在所述器件的高度方向上，在第二导电类型杂质的浓度最高的部分的杂质的浓度为D_n时，D_n-1<D_n，其中，n≥2。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，进一步包括：延伸通过所述阱区进入所述第二半导体区的所述第一层的部分的沟槽。

6.一种功率半导体器件，包括：

第一半导体区，为第一导电类型；

第二半导体区，形成于所述第一半导体区中并且为第二导电类型；

阱区，形成于所述第二半导体区之上并且为所述第二导电类型；以及

源极区，形成于所述阱区中并且为所述第一导电类型，

其中，所述第二半导体区包括从所述器件的下部向上形成的1至n层，以及

当在所述第n层的所述第二半导体区中，在所述器件的高度方向上，所述第二导电类型的杂质的浓度最高的部分中的所述杂质的浓度为D_n时，D₁<D_n，其中，n≥2。

7.根据权利要求6所述的功率半导体器件，其中，当在所述第n层的所述第二半导体区中，在所述器件的高度方向上，所述第二导电类型杂质的所述浓度最高的所述部分中的所述杂质的所述浓度为D_n时，D_n-1<D_n，其中，n≥2。

8.根据权利要求6所述的功率半导体器件，进一步包括：延伸通过所述阱区进入所述第二半导体区的所述第一层的部分的沟槽。

9.一种功率半导体器件，包括：

第一导电类型的第一半导体区；

第二半导体区，形成于所述第一半导体区中并且为第二导电类型；

阱区，形成于所述第二半导体区之上并且为所述第二导电类型；以及

源极区，形成于所述阱区中并且为所述第一导电类型，

其中，所述第二半导体区包括从所述器件的下部沿所述器件的高度方向形成的1至n层，

其中，所述功率半导体器件进一步包括：延伸通过所述阱区并至所述第二半导体区的所述第一层的部分的沟槽。

10.根据权利要求9所述的功率半导体器件，其中，所述沟槽在所述沟槽的上部比在所述沟槽的下部具有更宽的宽度。

11.根据权利要求10所述的功率半导体器件，其中，所述沟槽具有锥形形状或阶梯形状。

12.根据权利要求9所述的功率半导体器件，其中，所述沟槽填充有第二导电类型材料和二氧化硅中的至少一种。

13.根据权利要求9所述的功率半导体器件，其中，在所述第二半导体区和所述沟槽彼此邻接的部分的所述第二半导体区的杂质的浓度在朝向所述沟槽的所述器件的宽度方向上降低。