[发明专利]分裂栅存储器单元结构的方法及结构

摘要

本发明涉及分裂栅存储器单元结构的方法及结构。一种使用衬底(12)形成分裂栅存储器单元结构(10)的方法包括形成包括选择栅(16)的栅叠层和覆盖了所述选择栅的介电部分(18)。电荷存储层(20)在所述衬底上包括在所述栅叠层上形成。所述导电材料的第一侧壁间隔物(26)沿着延伸过所述选择栅的顶部的所述栅叠层的第一侧壁形成。所述介电材料的第二侧壁间隔物沿着所述第一侧壁间隔物上的所述第一侧壁形成。所述第一侧壁间隔物的一部分通过将所述第二侧壁间隔物用作据此硅化物(46)不延伸到所述电荷存储层的掩膜形成。

主权项

1.一种用于使用半导体衬底形成分裂栅存储器单元结构的方法，所述方法包括：在所述半导体衬底上形成栅叠层，其中所述栅叠层具有带有顶面的导电部分和具有在所述导电部分的所述顶面上的底面的介电部分，所述栅叠层具有沿着所述导电部分的一侧和所述介电部分的一侧的第一侧壁；在所述衬底上包括在所述栅叠层上并且沿着所述第一侧壁形成电荷存储层；在所述电荷存储层上形成导电层；蚀刻所述导电层以留下沿着所述第一侧壁的第一导电间隔物，其中所述第一导电间隔物的顶部处于所述导电部分的所述顶面上和所述介电部分的顶部下；从所述第一导电间隔物的底面到所述第一导电间隔物的所述顶部下的第一高度形成第一侧壁间隔物，以及沿着在所述第一导电间隔物的所述顶部和所述介电部分的所述顶面之间的第一侧壁形成第二侧壁间隔物；以及硅化在所述第一侧壁间隔物和所述第二侧壁间隔物之间的所述第一导电间隔物。