[发明专利]分裂栅存储器单元结构的方法及结构

权利要求书

1.一种用于使用半导体衬底形成分裂栅存储器单元结构的方法，所述方法包括：

在所述半导体衬底上形成栅叠层，其中所述栅叠层具有带有顶面的导电部分和具有在所述导电部分的所述顶面上的底面的介电部分，所述栅叠层具有沿着所述导电部分的一侧和所述介电部分的一侧的第一侧壁；

在所述衬底上包括在所述栅叠层上并且沿着所述第一侧壁形成电荷存储层；

在所述电荷存储层上形成导电层；

蚀刻所述导电层以留下沿着所述第一侧壁的第一导电间隔物，其中所述第一导电间隔物的顶部处于所述导电部分的所述顶面上和所述介电部分的顶部下；

从所述第一导电间隔物的底面到所述第一导电间隔物的所述顶部下的第一高度形成第一侧壁间隔物，以及沿着在所述第一导电间隔物的所述顶部和所述介电部分的所述顶面之间的第一侧壁形成第二侧壁间隔物；以及

硅化在所述第一侧壁间隔物和所述第二侧壁间隔物之间的所述第一导电间隔物。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述第一侧壁间隔物和第二侧壁间隔物之前，将所述第一导电间隔物用作植入掩膜来在所述半导体衬底内形成第一源极/漏极延伸。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻所述导电层还包括：沿着所述栅叠层的第二侧壁形成第二导电间隔物。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：在形成所述第一侧壁间隔物和第二侧壁间隔物之前，移除所述第二导电间隔物。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：在移除所述第二导电间隔物之后，在所述衬底内形成第二源极/漏极延伸。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：形成与所述第二侧壁相邻的第三侧壁间隔物。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：将所述第一侧壁间隔物用作植入掩膜来在所述衬底内形成第一深源极/漏极区域，并且将所述第三侧壁间隔物用作掩膜来在所述衬底内形成第二深源极/漏极区域。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：在所述第一深源极/漏极区域和第二深源极/漏极区域上硅化所述衬底。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述导电层的特征还在于所述导电层包括多晶硅。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述栅叠层的特征还在于所述栅叠层的所述介电部分包括氮化物。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述第一侧壁间隔物和第二侧壁间隔物的特征还在于所述第一侧壁间隔物和第二侧壁间隔物包括氮化物。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述电荷存储层的特征还在于所述电荷存储层包括纳米晶体。