[发明专利]晶圆的处理方法有效
| 申请号： | 201410294602.2 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN105448643B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 郑超;王伟;徐伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶圆的处理方法，包括：提供待处理基底，所述待处理基底具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面，所述待处理基底的第一表面具有器件层；在所述器件层表面形成保护膜；对所述保护膜进行表面处理，在所述保护膜内形成若干凹陷，使所述保护膜表面粗糙；在对所述保护膜进行表面处理之后，对所述待处理基底的第二表面进行翻面工艺；在进行所述翻面工艺之后，采用去膜工艺从器件层表面剥离所述保护膜。所述处理方法能够使晶圆表面洁净，有利于提高晶圆表面形成的半导体器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆的处理方法，其特征在于，包括：提供待处理基底，所述待处理基底具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面，所述待处理基底的第一表面具有器件层；在所述器件层表面形成保护膜，所述保护膜与所述器件层之间具有第一粘合力；对所述保护膜进行表面处理，所述表面处理工艺包括：采用处理气体的等离子体对所述保护膜进行轰击，在所述保护膜内形成若干凹陷，使所述保护膜表面的粗糙度提高；在对所述保护膜进行表面处理之后，对所述待处理基底的第二表面进行翻面工艺；在进行所述翻面工艺之后，采用去膜工艺从器件层表面剥离所述保护膜，所述去膜工艺包括：采用粘性材料膜粘贴于所述保护膜表面，所述粘性材料膜与所述保护膜之间具有第二粘合力，所述第二粘合力大于第一粘合力；通过移除所述粘性材料膜，将所述保护膜自器件层表面剥离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410294602.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种衬底上的外延片及其制作方法
- 下一篇：具有温控供气装置的电离室
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
