[发明专利]晶圆的处理方法

权利要求书

1.一种晶圆的处理方法，其特征在于，包括：

提供待处理基底，所述待处理基底具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面，所述待处理基底的第一表面具有器件层；

在所述器件层表面形成保护膜，所述保护膜与所述器件层之间具有第一粘合力；

对所述保护膜进行表面处理，所述表面处理工艺包括：采用处理气体的等离子体对所述保护膜进行轰击，在所述保护膜内形成若干凹陷，使所述保护膜表面的粗糙度提高；

在对所述保护膜进行表面处理之后，对所述待处理基底的第二表面进行翻面工艺；

在进行所述翻面工艺之后，采用去膜工艺从器件层表面剥离所述保护膜，所述去膜工艺包括：

采用粘性材料膜粘贴于所述保护膜表面，所述粘性材料膜与所述保护膜之间具有第二粘合力，所述第二粘合力大于第一粘合力；

通过移除所述粘性材料膜，将所述保护膜自器件层表面剥离。

2.如权利要求1所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述处理气体为惰性气体、氢气或氮气中的一种或多种。

3.如权利要求2所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气、氦气、氖气中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述表面处理的工艺参数包括：所述处理气体的流量为20准毫升/分钟～100标准毫升/分钟，压力为50毫托～80毫托，功率为300瓦～800瓦。

5.如权利要求1所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述表面处理工艺使所述保护膜内的凹陷暴露出待处理基底表面，使所述保护膜呈若干分立保护层。

6.如权利要求1所述的晶圆的处理方法，其特征在于，还包括：在所述表面处理工艺之前，对所述保护膜进行热处理。

7.如权利要求6所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述热处理工艺的温度为100摄氏度～120摄氏度。

8.如权利要求1所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述保护膜的材料为具有粘性的聚合物材料。

9.如权利要求8所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述保护膜为蓝膜。

10.如权利要求8所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述保护膜的形成工艺包括贴膜工艺。

11.如权利要求1所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述粘性材料膜的表面具有粘性，使所述粘性材料膜与所述保护膜相粘合。

12.如权利要求1所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述器件层包括：位于待处理基底第一表面的器件结构；位于待处理基底第一表面的介质层，所述介质层覆盖所述器件结构；位于所述介质层内的电互连结构，所述电互连结构与所述器件结构、待处理基底电连接。

13.如权利要求12所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述器件结构包括MEMS器件结构。

14.如权利要求1所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述翻面工艺包括：在所述待处理基底的第二表面上、或所述待处理基底内部形成半导体结构。