[发明专利]晶圆的处理方法

说明书

一种晶圆的处理方法，包括：提供待处理基底，所述待处理基底具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面，所述待处理基底的第一表面具有器件层；在所述器件层表面形成保护膜；对所述保护膜进行表面处理，在所述保护膜内形成若干凹陷，使所述保护膜表面粗糙；在对所述保护膜进行表面处理之后，对所述待处理基底的第二表面进行翻面工艺；在进行所述翻面工艺之后，采用去膜工艺从器件层表面剥离所述保护膜。所述处理方法能够使晶圆表面洁净，有利于提高晶圆表面形成的半导体器件的性能和可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆的处理方法。

背景技术

随着半导体制造技术的不断发展，半导体器件的制造方法以及半导体器件的结构也日益复杂，因此，仅在晶圆的一侧表面进行半导体工艺制程已不能满足持续发展的技术需求。例如，MEMS压力传感器的制造工艺、背照式(BSI，Backside Illuminated)图像传感器的制造工艺、硅通孔(TSV，Through Silicon Via)结构的制造工艺、或者晶圆的封装工艺均需要在晶圆的一侧表面形成半导体器件结构之后，在晶圆的另一侧表面进行后段工艺制程。

为了避免在对晶圆的另一侧表面进行后段工艺制程时，对晶圆一侧表面已形成的半导体器件结构造成损伤，现有技术会在形成于晶圆一侧表面的半导体器件结构表面形成保护膜，而所述保护膜能够直接与后段工艺制程设备内的基座相接触，能够避免晶圆表面的半导体器件结构受到设备基座的磨损，并且能够使晶圆另一侧表面被暴露出，以进行后续的工艺制程。

所述保护膜的材料为聚合物材料，所述保护膜通过贴膜(Tape)工艺粘附于晶圆一侧表面的半导体器件结构表面。当在晶圆另一侧表面完成工艺制程之后，能够通过去膜(Detape)工艺将所述保护膜剥离。

然而，现有技术通过去膜工艺去除所述保护膜之后，会在半导体器件结构表面残留大量附着物，对所述半导体器件结构造成污染，影响所形成的半导体器件的性能和可靠性，甚至造成所形成的半导体器件失效。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种晶圆的处理方法，使所述晶圆表面洁净，有利于提高晶圆表面形成的半导体器件的性能和可靠性。

为解决上述问题，本发明提供一种晶圆的处理方法，包括：提供待处理基底，所述待处理基底具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面，所述待处理基底的第一表面具有器件层；在所述器件层表面形成保护膜，所述保护膜与所述器件层之间具有第一粘合力；对所述保护膜进行表面处理，在所述保护膜内形成若干凹陷，使所述保护膜表面的粗糙度提高；在对所述保护膜进行表面处理之后，对所述待处理基底的第二表面进行翻面工艺；在进行所述翻面工艺之后，采用去膜工艺从器件层表面剥离所述保护膜，所述去膜工艺包括：采用粘性材料膜粘贴于所述保护膜表面，所述粘性材料膜与所述保护膜之间具有第二粘合力，所述第二粘合力大于第一粘合力；通过移除所述粘性材料膜，将所述保护膜自器件层表面剥离。

可选的，所述表面处理工艺包括：采用处理气体的等离子体对所述保护膜进行轰击。

可选的，所述处理气体为惰性气体、氢气或氮气中的一种或多种。

可选的，所述惰性气体为氩气、氦气、氖气中的一种或多种。

可选的，所述表面处理的工艺参数包括：所述处理气体的流量为20准毫升/分钟～100标准毫升/分钟，压力为50毫托～80毫托，功率为300瓦～800瓦。

可选的，所述表面处理工艺使所述保护膜内的凹陷暴露出待处理基底表面，使所述保护膜呈若干分立保护层。

可选的，还包括：在所述表面处理工艺之前，对所述保护膜进行热处理。

可选的，所述热处理工艺的温度为100摄氏度～120摄氏度。

可选的，所述保护膜的材料为具有粘性的聚合物材料。