[发明专利]反应腔室以及利用该反应腔室的晶片加工方法有效
| 申请号： | 201410293061.1 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104037046B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 林志明 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 赵根喜,郑特强 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反应腔室以及其内衬结构，反应腔室的内衬结构包括一腔室；一晶片保持器，水平设置于该腔室内，该晶片保持器的边缘与该腔室的侧壁之间具有间隙，该晶片保持器的下侧与该腔室的下壁以及侧壁共同构成该腔室的下腔部；至少一可弯曲内衬，设置于该下腔部的该下壁和该侧壁上；其中，该下腔部的该侧壁和该下壁均设置有导引槽；该可弯曲内衬能够自该间隙沿该侧壁的该导引槽进入该下腔部，随该下腔部的侧壁以及下壁之间的弯折处而弯曲，并由该下壁的导引槽所导引，以设置于该下腔部的侧壁以及下壁。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 以及 利用 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种反应腔室，包括：一腔室；及一晶片保持器，设置于该腔室内，该晶片保持器的边缘与该腔室的侧壁之间具有间隙，该晶片保持器的下侧与该腔室的下壁以及侧壁共同构成该腔室的下腔部，其中，该下腔部的该侧壁和该下壁均设置有导引槽，可弯曲内衬自该间隙沿该侧壁的该导引槽进入该下腔部，随该下腔部的侧壁以及下壁之间的弯折处而弯曲，并由该下壁的导引槽所导引，以设置于该下腔部的侧壁以及下壁。
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