[发明专利]反应腔室以及利用该反应腔室的晶片加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片加工制造技术领域，尤其涉及用于晶片加工制造的反应腔室以及其晶片加工。

背景技术

在半导体的晶片加工以及制造技术领域，低温多晶硅制作工艺中的干蚀刻工艺中，其干蚀刻工艺的真空机台的腔室内，由于干蚀刻过程产生的副产物会沉积在腔室的内壁下部及真空腔壁内侧，进而造成后续变更工艺时反应气体与腔壁上的副产物发生反应，消耗了腔室内的反应气体，造成蚀刻率下降，影响蚀刻控制，因此在变更工艺时须进行保养。

在干蚀刻真空机台中，真空腔保养的现有做法，一般需要对腔体内壁进行清洁及零件更换。但是这种保养以及清洁会浪费大量人力及时间。造成生产效率下降，进而增加生产成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种反应腔室以及利用该反应腔室的晶片加工方法，以解决现有的反应腔室保养不方便的问题。

本发明提供的一种反应腔室，包括：一种反应腔室，包括：一腔室；及一晶片保持器，设置于该腔室内，该晶片保持器的边缘与该腔室的侧壁之间具有间隙，该晶片保持器的下侧与该腔室的下壁以及侧壁共同构成该腔室的下腔部，其中，该下腔部的该侧壁和该下壁均设置有导引槽，用于可弯曲内衬自该间隙沿该侧壁的该导引槽进入该下腔部，随该下腔部的侧壁以及下壁之间的弯折处而弯曲，并由该下壁的导引槽所导引，以设置于该下腔部的侧壁以及下壁。

本发明一种反应腔室的一实施例中，其中该晶片保持器的下侧设置有导引槽，用于另一或多个可弯曲内衬自该间隙沿该晶片保持器的下侧的该导引槽导引，以设置于该晶片保持器的下侧。

本发明一种反应腔室的一实施例中，其中，还包括一扩散器，设置于该下腔部内；一抽气泵，抽气泵自腔室的下壁穿入腔室内；一下电极，设置于该晶片保持器上；以及一上电极，设置于该下电极的上方，该下电极以及该上电极之间具有空间，该供放置于该晶片保持器上的该晶片反应；其中，该腔室为真空腔室。

本发明提供的另一种反应腔室，其中，包括：一腔室；一晶片保持器，设置于该腔室内，该晶片保持器的边缘与该腔室的侧壁之间具有间隙，该晶片保持器的下侧与该腔室的下壁以及侧壁共同构成该腔室的下腔部；及至少一可弯曲内衬，设置于该下腔部的该下壁和该侧壁上和/或设置于该晶片保持器的下侧。

本发明另一种反应腔室的一实施例中，其中，该下腔部的该侧壁和该下壁均设置有导引槽，用于可弯曲内衬自该间隙沿该侧壁的该导引槽进入该下腔部，随该下腔部的侧壁以及下壁之间的弯折处而弯曲，并由该下壁的导引槽所导引，以设置于该下腔部的侧壁以及下壁。

本发明另一种反应腔室的一实施例中，其中，其中该晶片保持器的下侧设置有导引槽，用于另一或多个可弯曲内衬自该间隙沿该晶片保持器的下侧的该导引槽导引，以设置于该晶片保持器的下侧。

本发明另一种反应腔室的一实施例中，其中，还包括一扩散器，设置于该下腔部内；一抽气泵，抽气泵自腔室的下壁穿入腔室内；一下电极，设置于该晶片保持器上；以及一上电极，设置于该下电极的上方，该下电极以及该上电极之间具有空间，该供放置于该晶片保持器上的该晶片反应；其中，该腔室为真空腔室。本发明一种反应腔室的内衬结构的一实施例中，其中，该可弯曲内衬上设置有与各该导引槽相匹配的插入件，以使得该可弯曲内衬插入至各该导引槽。

本发明另一种反应腔室的一实施例中，其中，该可弯曲内衬包括：多个条状盖板，该多个条状盖板成一列排布，两该条状盖板的长边活动连接，每一该条状盖板的长边的长度与该下腔部的侧壁以及下壁的宽度相匹配，以使得该可弯曲内衬能够沿该导引槽进入该下腔部后，覆盖该下腔部的侧壁以及下壁。

本发明另一种反应腔室的一实施例中，其中，该条状盖板的长边上设置有卡钩，该条状盖板之间通过卡钩连接。

本发明另一种反应腔室的一实施例中，其中，该条状盖板之间铰接连接。

本发明另一种反应腔室的一实施例中，其中，该多个条状盖板的材料为铝合金，该铝合金的表面涂敷有三氧化二铝或三氧化二钇。

本发明另一种反应腔室的一实施例中，其中，该可弯曲内衬面向该下腔部内侧的表面上涂敷有阳极防腐材料。

本发明另一种反应腔室的一实施例中，其中，其中该可弯曲内衬为一个或多个具有一定硬度的整体软板。

本发明另外还提供了一种晶片加工方法，其包括，利用上述任一种反应腔室进行第一晶片加工步骤，在完成第一晶片加工步骤之后，更换可弯曲内衬；及进行第二晶片加工步骤。

本发明一种晶片加工方法的一实施例，其中，所述第一和/或第二晶片加工步骤为干法蚀刻。