[发明专利]反应腔室以及利用该反应腔室的晶片加工方法

权利要求书

1.一种反应腔室，包括：

一腔室；及

一晶片保持器，设置于该腔室内，该晶片保持器的边缘与该腔室的侧壁之间具有间隙，该晶片保持器的下侧与该腔室的下壁以及侧壁共同构成该腔室的下腔部，

其中，该下腔部的该侧壁和该下壁均设置有导引槽，用于可弯曲内衬自该间隙沿该侧壁的该导引槽进入该下腔部，随该下腔部的侧壁以及下壁之间的弯折处而弯曲，并由该下壁的导引槽所导引，以设置于该下腔部的侧壁以及下壁。

2.如权利要求1所述的反应腔室，其中该晶片保持器的下侧设置有导引槽，用于另一或多个可弯曲内衬自该间隙沿该晶片保持器的下侧的该导引槽导引，以设置于该晶片保持器的下侧。

3.如权利要求1所述的反应腔室，还包括：

一扩散器，设置于该下腔部内；

一抽气泵，抽气泵自腔室的下壁穿入腔室内；

一下电极，设置于该晶片保持器上；以及

一上电极，设置于该下电极的上方，该下电极以及该上电极之间具有空间，该供放置于该晶片保持器上的该晶片反应；

其中，该腔室为真空腔室。

4.一种反应腔室，包括：

一腔室；

一晶片保持器，设置于该腔室内，该晶片保持器的边缘与该腔室的侧壁之间具有间隙，该晶片保持器的下侧与该腔室的下壁以及侧壁共同构成该腔室的下腔部；及

至少一可弯曲内衬，设置于该下腔部的该下壁和该侧壁上和/或设置于该晶片保持器的下侧。

5.如权利要求4所述的反应腔室，其中，该下腔部的该侧壁和该下壁均设置有导引槽，用于可弯曲内衬自该间隙沿该侧壁的该导引槽进入该下腔部，随该下腔部的侧壁以及下壁之间的弯折处而弯曲，并由该下壁的导引槽所导引，以设置于该下腔部的侧壁以及下壁。

6.如权利要求4所述的反应腔室，其中该晶片保持器的下侧设置有导引槽，用于另一或多个可弯曲内衬自该间隙沿该晶片保持器的下侧的该导引槽导引，以设置于该晶片保持器的下侧。

7.如权利要求4所述的反应腔室，还包括：

一扩散器，设置于该下腔部内；

一抽气泵，抽气泵自腔室的下壁穿入腔室内；

一下电极，设置于该晶片保持器上；以及

一上电极，设置于该下电极的上方，该下电极以及该上电极之间具有空间，该供放置于该晶片保持器上的该晶片反应；

其中，该腔室为真空腔室。

8.如权利要求5或6所述的反应腔室，其特征在于，该可弯曲内衬包括：

多个条状盖板，该多个条状盖板成一列排布，两该条状盖板的长边活动连接，每一该条状盖板的长边的长度与该下腔部的侧壁以及下壁的宽度相匹配，以使得该可弯曲内衬能够沿该导引槽进入该下腔部后，覆盖该下腔部的侧壁以及下壁。

9.如权利要求8所述的反应腔室，其中该条状盖板的长边上设置有卡钩，该条状盖板之间通过卡钩连接。

10.如权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，该条状盖板之间铰接连接。

11.如权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，该多个条状盖板的材料为铝合金，该铝合金的表面涂敷有三氧化二铝或三氧化二钇。

12.如权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，该可弯曲内衬面向该下腔部内侧的表面上涂敷有阳极防腐材料。

13.如权利要求4所述的反应腔室，其中该可弯曲内衬为一个或多个具有一定硬度的整体软板。

14.一种晶片加工方法，包括：

利用如权利要求4至13中的任一种反应腔室进行第一晶片加工步骤；

在完成第一晶片加工步骤之后，更换可弯曲内衬；及

进行第二晶片加工步骤。

15.如权利要求14所述的晶片加工方法，其中所述第一和/或第二晶片加工步骤为干法蚀刻。

16.如权利要求14所述的晶片加工方法，其中所述第一和/或第二晶片加工步骤为薄膜沉积。