[发明专利]一种SRAM中MOS角模型的制作方法有效
| 申请号： | 201410286997.1 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104090999B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 任铮;郭奥;胡少坚;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOS角模型的制作方法，首先，初步提取出SRAM单元中同类型的MOS的原始角模型；然后，测量SRAM单元的读电流数据，对这些读电流数据进行统计分析，计算得到SRAM单元的最快读电流数据和最慢读电流数据；最后，根据上述最快、最慢读电流数据对原始角模型的参数进行优化调整，使原始角模型经仿真后得到的读电流数据分别与最慢读电流数据、最快读电流数据相一致，从而克服了传统的MOS角模型的制作方法所提取的SRAM单元的MOS角模型不能与SRAM单元的关键特性一一对应的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电流数据 角模型 制作 关键特性 统计分析 优化调整 传统的 测量 | ||
【主权项】：
1.一种SRAM中MOS角模型的制作方法，其特征在于，包括：步骤S01：测量不同位置的SRAM单元中同类型MOS的特性数据，并初步提取SRAM中同类型MOS的原始角模型；其中，所述原始角模型的初步提取方法包括：采用SPICE模拟程序，根据测量到的特性数据得到FF、FS、SF、SS四个工艺角的原始角模型；步骤S02：量测所述SRAM单元的读电流数据，对所述读电流数据进行统计分析，计算出所述SRAM单元的最慢读电流数据和最快读电流数据；步骤S03：根据所述最慢读电流数据和所述最快读电流数据对所述原始角模型进行优化，使得所述原始角模型进行仿真后得到的读电流数据分别与所述最慢读电流数据、所述最快读电流数据相一致；其中，调整所述原始角模型的参数，使得所述SRAM单元中，采用SS原始角模型进行仿真得到的读电流数据与所述最慢读电流数据相一致，采用FF原始角模型进行仿真得到的读电流数据与所述最快读电流数据相一致。
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