[发明专利]一种SRAM中MOS角模型的制作方法

权利要求书

1.一种SRAM中MOS角模型的制作方法，其特征在于，包括：

步骤S01：测量不同位置的SRAM单元中同类型MOS的特性数据，并初步提取SRAM中同类型MOS的原始角模型；其中，所述原始角模型的初步提取方法包括：采用SPICE模拟程序，根据测量到的特性数据得到FF、FS、SF、SS四个工艺角的原始角模型；

步骤S02：量测所述SRAM单元的读电流数据，对所述读电流数据进行统计分析，计算出所述SRAM单元的最慢读电流数据和最快读电流数据；

步骤S03：根据所述最慢读电流数据和所述最快读电流数据对所述原始角模型进行优化，使得所述原始角模型进行仿真后得到的读电流数据分别与所述最慢读电流数据、所述最快读电流数据相一致；其中，调整所述原始角模型的参数，使得所述SRAM单元中，采用SS原始角模型进行仿真得到的读电流数据与所述最慢读电流数据相一致，采用FF原始角模型进行仿真得到的读电流数据与所述最快读电流数据相一致。

2.根据权利要求1所述的SRAM中MOS角模型的制作方法，其特征在于，所述步骤S01中，所述MOS的特性数据包括：阈值电压、饱和电流、以及线性区电流。

3.根据权利要求1所述的SRAM中MOS角模型的制作方法，其特征在于，所述步骤S02包括：

步骤A01：测量所述SRAM单元的读电流数据；

步骤A02：对所述读电流数据进行高斯拟合分析，得到高斯分布图；

步骤A03：根据所述高斯分布图，计算得到位于所述高斯分布图中正、负3个标准差处的读电流数据；其中，位于所述正3个标准差处的读电流数据为所述最快读电流数据，位于所述负3个标准差处的读电流数据为所述最慢读电流数据。

4.根据权利要求3所述的SRAM中MOS角模型的制作方法，其特征在于，所述SRAM单元中包含传输MOS，所述步骤A01包括：记录同一个所述SRAM单元中所有传输MOS的读电流数据；并对同一个所述SRAM单元的读电流数据测量两次，求平均值。

5.根据权利要求4所述的SRAM中MOS角模型的制作方法，其特征在于，同一个所述SRAM中的传输MOS的数量为2个。