[发明专利]一种SRAM中MOS角模型的制作方法

说明书

本发明提供了一种MOS角模型的制作方法，首先，初步提取出SRAM单元中同类型的MOS的原始角模型；然后，测量SRAM单元的读电流数据，对这些读电流数据进行统计分析，计算得到SRAM单元的最快读电流数据和最慢读电流数据；最后，根据上述最快、最慢读电流数据对原始角模型的参数进行优化调整，使原始角模型经仿真后得到的读电流数据分别与最慢读电流数据、最快读电流数据相一致，从而克服了传统的MOS角模型的制作方法所提取的SRAM单元的MOS角模型不能与SRAM单元的关键特性一一对应的问题。

技术领域

本发明涉及半导体设计仿真领域，特别涉及一种SRAM中MOS角模型的制作方法。

背景技术

在不同的晶圆之间以及在不同的批次之间，金属-氧化物-半导体-场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)参数变化很大，为了在一定程度上减轻电流设计任务的困难，工艺工程师们要保证的器件的性能位于某个范围内，通常是采用报废掉超出这个性能范围的晶圆来严格控制预期的参数变化。

通常提供给设计师的MOS晶体管的性能范围以“工艺角”(Corner)的形式给出，称为角模型。如图1所示，为MOS晶体管的工艺角示意图，其思路是：把NMOS和PMOS晶体管的速度波动范围限制在由FF11(快NMOS晶体管和快PMOS晶体管)、FS12(快NMOS晶体管和慢PMOS晶体管)、SF13(慢NMOS晶体管和快PMOS晶体管)、SS14(慢NMOS晶体管和慢PMOS晶体管)四个工艺角(即四个工艺临界点)所确定的矩形10内，即矩形10内部区域表示可接受的晶圆。其中，FF11对应NMOS、PMOS的饱和电流同为最大值，阈值电压同为最小值；FS12对应NMOS的饱和电流为最大值、阈值电压为最小值，PMOS的饱和电流为最小值、阈值电压为最大值；SF13对应NMOS的饱和电流为最小值、阈值电压为最大值，PMOS的饱和电流为最大值、阈值电压为最小值；SS14对应于NMOS、PMOS的饱和电流为最小值，阈值电压为最大值。

传统的MOS角模型的制作方法，包括：

测量不同位置的SRAM单元中同类型MOS的特性数据；

根据测量得到的特性数据得到FF、SF、FS、以及SS四个工艺角的角模型。

但是，上述传统的MOS角模型的制作方法越来越被业界认为不适用于对SRAM单元中的MOS进行角模型抽取。主要原因在于：设计者所关心的SRAM单元特性主要包括：噪声容限(Noise Margin)、读电流(Iread)、关态漏电流(Ileakage)；通常，会采用FF corner和SScorner来分别仿真计算SRAM的关键特性的最大值和最小值。然而，在实际工艺制作中，SRAM的关键特性虽然受SRAM单元中的MOS性能影响，但其分布特点往往与MOS的性能分布不存在直接对应关系。例如，SRAM单元的Iread最大时，往往NMOS和PMOS并非处于FF corner，而SRAM单元的Iread最小时，NMOS和PMOS也并非处于SS corner。换言之，目前业界按照传统的MOS角模型制作方法得到的SRAM MOS角模型，与设计者所关心的SRAM单元的关键特性数据不能准确一一对应，存在偏差。

发明内容

为了克服以上问题，本发明旨在提供一种SRAM中MOS角模型的制作方法，使得SRAM单元的关键特性数据，与MOS角模型的仿真数据相一致。

为了实现上述目的，本发明技术方案如下：

本发明提供了一种MOS角模型的制作方法，其包括：

步骤S01：测量不同位置的SRAM单元中同类型MOS的特性数据，初步提取SRAM中同类型MOS的原始角模型；