[发明专利]三维半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维半导体器件，包括多个存储单元，所述多个存储单元的每一个包括沟道层，沿垂直于衬底表面的方向分布；多个层间绝缘层与多个栅极导电层，沿着所述沟道层的侧壁交替层叠；栅极介质层，位于所述多个层间绝缘层与所述沟道层的侧壁之间；漏极，位于所述沟道层的顶部；以及源极，位于所述多个存储单元的相邻两个存储单元之间的衬底中；在所述多个存储单元的每一个周围，进一步包括多个第二栅极介质层和多个第二沟道层。依照本发明的三维半导体存储器件及其制造方法，在垂直沟道周围形成辅助MOSFET串堆叠构成的电流通道，有效提高了存储串的开态电流以及电流变，从而提高了存储阵列的读取电流和读取速度。

主权项

一种三维半导体器件，包括多个存储单元，所述多个存储单元的每一个包括：沟道层，沿垂直于衬底表面的方向分布；多个层间绝缘层与多个栅极导电层，沿着所述沟道层的侧壁交替层叠；栅极介质层，位于所述多个层间绝缘层与所述沟道层的侧壁之间；漏极，位于所述沟道层的顶部；以及源极，位于所述多个存储单元的相邻两个存储单元之间的衬底中；在所述多个存储单元的每一个周围，进一步包括多个第二栅极介质层和多个第二沟道层，第二沟道层直接接触源极。