[发明专利]一种纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 201410266770.0 | 申请日： | 2014-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN104191702A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 刘宏芳;董爽;肖菲;秦双 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;G01N27/30;G01N27/333 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 梁鹏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜、其制备方法及应用。所述复合膜，包括纳米石墨烯底层和纳米氢氧化钴表层，所述纳米石墨烯底层厚度在4000nm至6000nm之间，所述纳米氢氧化钴表层厚度在50nm至100nm之间，所述纳米氢氧化钴表层均匀沉积在所述纳米石墨烯底层上。其制备方法，包括以下步骤：将氧化石墨烯均匀分散于水中，涂敷在片状导电基底上，干燥得到纳米氧化石墨烯膜；组建三电极体系采用循环伏安法将氢氧化钴沉积在纳米石墨烯膜表面，干燥。本发明所提供的方法操作简单、环境友好等优点。本发明提供的复合薄膜应用于纳米电化学传感器领域时可显著提高特定物质的检测限和检测灵敏度，应用前景十分广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 氢氧化 石墨 复合 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种纳米氢氧化钴‑石墨烯复合膜，其特征在于，包括纳米石墨烯底层和纳米氢氧化钴表层，所述纳米石墨烯底层厚度在4000nm至6000nm之间，所述纳米氢氧化钴表层厚度在50nm至100nm之间，所述纳米氢氧化钴表层均匀沉积在所述纳米石墨烯底层上。
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