[发明专利]一种纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜，其特征在于，包括纳米石墨烯底层和纳米氢氧化钴表层，所述纳米石墨烯底层厚度在4000nm至6000nm之间，所述纳米氢氧化钴表层厚度在50nm至100nm之间，所述纳米氢氧化钴表层均匀沉积在所述纳米石墨烯底层上。 

2.如权利要求1所述的纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜，其特征在于，所述纳米石墨烯底层有皱褶和波浪状起伏。 

3.如权利要求1所述的纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜，其特征在于，所述纳米氢氧化钴层为均匀蓬松的纳米片状结构。 

4.如权利要求1至3任意一项所述的纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 

(1)将氧化石墨烯均匀分散与水中，形成浓度为2mg/ml～4mg/ml的氧化石墨烯溶液； 

(2)将步骤(1)中获得的氧化石墨烯溶液涂覆在片状导电基底上，涂覆量为0.5ml/cm²～1ml/cm²，干燥后得到纳米氧化石墨烯膜； 

(3)组建三电极体系：将步骤(2)中获得的纳米氧化石墨烯膜作为工作电极，将铂电极作为辅助电极，将饱和甘汞电极作为参比电极，每升电解液含有硫酸钴40至60mmol和硫酸钠0.05至0.15mol，采用循环伏安法，电位区间为-1.2～0V，扫速为40至60mV/s,循环30至50圈，将纳米氧化石墨烯膜还原成纳米石墨烯膜，同时将氢氧化钴沉积在纳米石墨烯膜表面，形成表面负载有纳米氢氧化钴的纳米石墨烯膜； 

(4)将步骤(3)中获得的表面负载有纳米氢氧化钴的纳米石墨烯膜洗涤干燥后得到所述纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜。 

5.如权利要求4所述的纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)将氧化石墨烯均匀分散与水中采用超声分散。 

6.如权利要求4所述的纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的水为超纯水。 

7.如权利要求1至3任意一项所述的纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜应用于制备电化学传感器。 

8.如权利要求7所述的纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜应用于制备电化学传感器，其特征在于，所述化学传感器为过氧化氢传感器。