[发明专利]FinFET器件和方法有效
| 申请号： | 201410266062.7 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104766886B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 胡嘉欣;张胜杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)及其制造方法。在实施例中，在衬底中形成沟槽，其中，邻近沟槽之间的区域限定了鳍。在沟槽中形成介电材料。掺杂衬底的一部分且形成高掺杂剂浓度的区域和低掺杂剂浓度的区域。形成栅极堆叠，去除鳍的部分且源极/漏极区域在高/低掺杂剂浓度的区域中外延生长。形成接触件以提供至源极/栅极/漏极区域的电连接。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，具有多个从所述衬底中延伸出来的鳍；第一阱，具有第一导电类型，位于所述衬底中；第二阱，具有所述第一导电类型，位于所述衬底中，所述第一阱的掺杂剂浓度高于所述第二阱的掺杂剂浓度；栅极堆叠，覆盖所述第一阱和所述第二阱之间的结；源极区域，具有第二导电类型，位于所述第一阱中；以及漏极区域，具有所述第二导电类型，位于所述第二阱中。
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