[发明专利]FinFET器件和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，具有多个从所述衬底中延伸出来的鳍；

第一阱，具有第一导电类型，位于所述衬底中；

第二阱，具有所述第一导电类型，位于所述衬底中，所述第一阱的掺杂剂浓度高于所述第二阱的掺杂剂浓度；

栅极堆叠，覆盖所述第一阱和所述第二阱之间的结；

源极区域，具有第二导电类型，位于所述第一阱中；以及

漏极区域，具有所述第二导电类型，位于所述第二阱中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括位于所述第一阱中的第一伪栅极和位于所述第二阱中的第二伪栅极。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，击穿电压为介于8V和15V之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，沟道长度为介于0.01μm和1μm之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极区域和所述漏极区域包括应力诱导材料。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，沟道具有第一部分和第二部分，所述第一部分具有位于所述源极区域中的应力诱导材料的边缘和所述第一阱及所述第二阱之间的结之间的第一宽度，所述第二部分具有位于所述漏极区域中的应力诱导材料的边缘和所述第一阱及所述第二阱之间的所述结之间的第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，沟道具有第一部分和第二部分，所述第一部分具有位于所述源极区域中的应力诱导材料的边缘和所述第一阱及所述第二阱之间的结之间的第一宽度，所述第二部分具有位于所述漏极区域中的应力诱导材料的边缘和所述第一阱及所述第二阱之间的所述结之间的第二宽度，所述第一宽度小于所述第二宽度。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，沟道具有第一部分和第二部分，所述第一部分具有位于所述源极区域中的应力诱导材料的边缘和所述第一阱及所述第二阱之间的结之间的第一宽度，所述第二部分具有位于所述漏极区域中的应力诱导材料的边缘和所述第一阱及所述第二阱之间的所述结之间的第二宽度，所述第一宽度等于所述第二宽度。

9.一种半导体器件，包括：

衬底，具有多个沟槽和插入到邻近的沟槽之间的鳍，以第一导电类型轻掺杂所述衬底；

第一区域，位于所述衬底中，以所述第一导电类型掺杂所述第一区域，所述第一区域的掺杂剂浓度高于所述衬底的掺杂剂浓度；

第二区域，位于所述衬底中，所述第二区域具有所述衬底的掺杂剂浓度；

第一源极区域，具有第二导电类型，位于所述第一区域中；以及

第二漏极区域，具有所述第二导电类型，位于所述第二区域中。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，进一步包括位于所述衬底的所述第一区域中的第一伪栅极和位于所述衬底的所述第二区域中的第二伪栅极。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，击穿电压介于8V和15V之间。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，沟道长度介于0.01μm和1μm之间。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一区域的第一掺杂剂浓度介于1E17cm^-3和5E18cm^-3之间。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述第二区域具有第二掺杂剂浓度，且所述第二掺杂剂浓度介于所述第一掺杂剂浓度的1％和50％之间。

15.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供衬底，所述衬底的第一区域中具有第一导电类型的第一掺杂剂浓度，且所述衬底的第二区域中具有所述第一导电类型的第二掺杂剂浓度，所述第一掺杂剂浓度大于所述第二掺杂剂浓度，所述衬底具有从所述衬底中延伸出来的一个或多个鳍，所述一个或多个鳍延伸穿过所述第一区域和所述第二区域；

在所述一个或多个鳍上方形成栅极堆叠，所述栅极堆叠与所述第一区域和所述第二区域的结重叠；以及

在所述栅极堆叠的相对两侧上形成源极/漏极区域，使得第一源极区域位于所述第一区域中且第二漏极区域位于所述第二区域中。